Электропроводка в частном доме



Как выбрать мебель для кабинета?



Как выбрать корпусную мебель?



Как применяется модульная мебель?



Как правильно размещать розетки?



Чем популярна стеклянная мебель?



Мебельные светильники
Перейти на главную » Журналы

0 ... 87 88 89 90 91 92

прокладку на основе окиси бериллия для изоляции корпуса от радиатора. В этом случае при толщине прокладки 1,65 мм емкость цепи стока увеличивается на 25 пФ.

Среди многих возможных применений мощных полевых транзисторов их использование в высокочастотных схемах является достаточно узкой областью, поэтому высокочастотные параметры и характеристики приводятся обычно в самом конце справочных данных. Помимо рекомендаций по выбору напряжения стока и выходной мощности здесь указываются различные типы корпусов. Следует отметить одну, по-видимому, существенную деталь, которая связана с рабочим напряжением стока. Речь идет о том, что пробивное напряжение почти в два раза больще номинального напряжения стока. Нужно соблюдать осторожность при использовании мощного полевого транзистора, для которого необходимо напряжение 35 В, когда минимальное напряжение пробоя равно,, например, 65 В. Такого запаса по напряжению достаточно при не-модулированном сигнале и может быть катастрофичным,, если требуется 100%-пая модуляция несущей частоты.



Список литературы

к главе I

Hunter, Lloyd p.. Handbook of Semiconductor Electronics. New York:

McGraw-Hill Book Company, 1970. Maloney, Timothy J., Industrial Solid-State Electronics. Englewood Cliffs, N.J.:

Prentice-Hall, Inc., 1979. Shockley, W., "A Unipolar Field-Effect Transistor," Proc. IRE, 40 (November 1952), 1365-76.

jeszner, S., and R. Giquel, "Gridistor-a New Field-Effect Device," Proc.

IEEE, 52 (1964), 1502-13. zuleeg, R., "Multi-Channel Field-Effect Transistor, Theory and Experiment,"

Solid-state Electronics, 10 (1967), 559-76.

К главе 2

.Declercq, M., and j. Plummer, "Avalanche Breakdown in High-Voltage DMOS

Devices,"Trans. Electron Devices, 23 (1976), 1-4. Ghandhi, S. K., Semiconductor Power Devices, New York: Wiley-Interscience,

1977.

Ни, С, "A Parametric Study of Power MOSFETs," Conf. Record, Power Electronics Specialists Conference, San Diego, Calif., 1979.

Krishna, Surinder, "Second Breakdown in High Voltage MOS Transistors," Solid-state Electronics, 20 (1977), 875-78.

LehOVEC, K., and R. Miller. "Field Distribution in Junction Field-Effect Transistors at Large Drain Voltage," IEEE Trans. Electron Devices, 22 (1975), 273-81.

LiDLOw, A., T, Herman, and H. Collins, "Power MOSFET Technology," Technical Digest, IEEE Electron Devices International Meeting, Washington, D.f , 1979, pp. 79-83.

LiSIAK, K., and J. Burger, "Optimization of Nonplanar Power MOS Transistors," IEEE Trans. Electron Devices, 25 (1978), 1229-34.

MoCHIDA, Y., et al., "Characteristics of Static Induction Transistors: Effects of Series Resistance," IEEE Trans. Electron Devices, 25 (1978), 761-67

NiSHIZAWA, J., et al., "Bipolar Mode Static Induction Transistor," Digest of Technical Papers, 11th Conference on Solid State Devices, Tokyo, Japan, 1979, pp. 189-90.

NiSHIZAWA, J.,T. Terasaki, and J. Shibata, "Field Effect Transistor versus Analog Transistor (Static Induction Transistor)," IEEE Trans. Electron Devices, 22 (1975), 185-197.

NiSHIZAWA, J., and K. YamaMoto, "High-Frequency High-Power Static Induction Transistor,"Trans. Electron Devices, 25 (1978), 314-22.

OhmI, Tadahiro, "Power Static Induction Transistor Technology," Technical Digest, IEEE Electron Devices International Meeting, Washington, D.C., 1979, pp. 84-87.

Онл;;, Tadahiro. "Punching through Devices and Its Integration," Technical Report 43, Research Institute of Electrical Communications, Tohoku University, . Sendai, Japan, 1979.



RiTTNER, е., and G. Neumark, "Theory of tho Surface Gate Dielectric Triode,"

Solid-StateElectronics, 9 (1966), S8b-98. Salama, C, and J. Oakes, "Nonplanar Power Field-Effect Transistors," lEEff

Trans. Electron Devices, 25 {}91Я), 1222-2S. -

Special Issue on Power MOS Devices, IEEE Trans. Electron Devices, 21 (1980),

321-400.

Temple, v., and P. Or ay,"Theoretical Comparison of DMOS and VMOS Structures for Voltage and ON Resistance," Technical Digest, IEEE Electron Devices International Meeting, Wa.shington, D.C., 1979, pp. 88-92.

Teszner, S., "High Frequency and Power Field Effect Transistor with Mesh-like Gate Structure," U.S. Patent 3,274,461 (Sept. 20, 1966).

Teszner, S., "High Power Field-Effect Transistor," U.S. Patent 2,930,950 (Mar. 29, 1960).

Teszner, S., and R. GicQUEL, "Gridistor-A New Field-Effect Device," Proc.

IEEE, 52 (1964), 1502-13. wegener, H. A. R., "The Cylindrical Field-Effect Transistor," IEEE Trans.

Electron Devices, 6 (1959), 442-449. "Yamaha et les transistors de puissance a effect de champ," Revue du SON, 256/

257 (Aug-Sept. 1974), 74-77. Zuleeg, R., "High-Fcequency Field-Effect Triode Device," U.S. Patent 3,381,187

(Apr. 30, 1968).

Zuleeg, R., "Multi-Chaunel Field-Effect Tiansiscor Theory and Experiment,"

Solid-state Electronics, IQ (1961), Ьо9-16. Zuleeg, R., "Multichannel Junction Field-Effect Transistor and Process," U.S.

Patent 3,967,305 (June 29, 1976). Zuleeg, R., "Planar Multi-Channel Field-Effect Triode," U.S. Patent 3,381,188

(Apr. 30, 1968).

ZuLELG, R., "A Silicon Space-Charge-Limited Triode and Analog Transistor," - Solid-state Electronics, 10 (1961), ААЗ-бО.

Zuleeg, R., "Space-Chargo-Limited Current Triode Device," U.S. Patent

3,409,812 (Nov. 5, 1968). Zuleeg, R., Th.n-Film Space-Charge-Limited Triode," Proc. IEEE. 54 (1966),

1197-98, -

Zuleeg, R., et al., "Electrical Characteristics of the MuUi-Chanael Field-Effect. Transistor," NEREM Record, Chicago (1966), pjK 156-57. .

К главе 3

AiGA, M., et al., i GHz 100 w Internally Matched Static ii:jfuction Transistor," Conference Proceedings, 9th European Microwave Conference, Brighton, England, 1979, pp. 561-65.

Baliga, G. Jayant, "A High Gain Structure for Power Junction Gate Field Effect Transistors," TeehnicaT Digest, IEEE Electron Devices International Meeting, Washington, D.C., 1978, pp. 661-63.

Cobbold, Richard S. C, Theory and Application of Field Effect Transistors. New Yorli: John Wiley & Sons, Inc., 1970.

csanky, G., and J. Bartelt, "High Voltage S-Band Power Transistor," First




0 ... 87 88 89 90 91 92