СН, (ПК > Ом

О 20 40 ео 80Т,°С

Зависимость тока утечки стока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значе-.ний параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

f СМ, ОГК» Ом

100 80 ВО 10 20

8 12 щ,В

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от напряжения затвор-исток при различных значениях напряжения подложка-исток:

№ 4 и А

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от тока стока при различных значениях напряжения затвор- исток

К590КН9, КР590КН9

Микросхемы представляют собой двухка-нальнью аналоговые ключи со схемой управления (однополюсное включение).

♦ о-

дао-

Функциональная схема микросхем К590КН9 и КР590КН9 (состояние ключей соответствует сигналу высокого уровня на входах управления)

Назначение выводов: 1, 2, 7, 8, 9, 12, 16 - свободные; 3-1-й аналоговый выход; 4-1-й аналоговый вход; 5-2-й аналоговый вход; б-2-й аналоговый выход; 10-2-й логический вход; -питание (-l-C/ni = 15 В); 13-общий: 14-питание (-[/„2 = -15 В), 15-1-й логический вход.

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания ...... ± 15 В

Ток потребления от источника U„i при высоком уровне входного напряжения, [/„1 = 16,5 В, [/„2 = -16,5 В, и 1=4 В, не более:

при Г= -1-25° С .................................. 300 мкА

при Т= -45° С .................................. 500 мкА

Ток потребления от источника [/„i при низком уровне входного напряжения, [/„i = 16,5B, [/„2=-16,5 В, [/О =0,8 В, не более:

при- r=-i-25° С ....................................50мкА

при Г= Г„, .......................................... 200 мкА

Ток потребления от источника [/„2 при высоком уровне входного напряжения, [/„i = 16,5B, [/„2 =-16,5 В, [/i,=4B, r=-f25°C, не

более...........................................................5 мкА

Ток потребления от источника [/„2 при низком уровне входного напряжения, [/„i = 16,5B, [/„2=-16,5 В, [/°,=0,8В, r=-f25°C, не

более ...........................................................5 мкА

Ток утечки аналогового входа при Ui = 16,5 В, [/„2=-16,5 В, Ul=4B, [/.„„=±15 В, не более:

при Г=-)-25°С ......................................50 нА

при Г=Г„,.,............................................. 500 нА

Ток утечки аналогового входа при [/„i = 16,5 В, [/„2=-16,5 В, [/°,=0,8В, [/,„„=0, r=-f25°C,

не более ......................................................50 иА

Ток утечки аналогового выхода при [/„i = = 16,5 В, [/„2=-16,5 В, [/L=4B, [/,„„=±15 В, не более:

при r=-f25°C ......................................50 иА

при Т=Г„,............................................. 500 иА

Ток утечки аналогового выхода при [/„i = = 13,5 В, [/„2=-13,5 В, UL=4B, [/,„„=±15В,

не более ......................................................50 иА

Входной ток низкого уровня при [/„1 = 16,5 В,

[/„2=-16,5В, [/°=0, r=-f25°C, не

более ........................................................0,2 мкА

Входной ток высокого уровня при [/„1 = 16,5 В, [/„2 = -16,5В, [/L = 16,5B, 7=+25°С, не

более........................................................0,2 мкА

Время включения при [/„i = 13,5B, [/„2 = = -13,5 В, [/з,= 10В, [/,=4,5 В, [/°,=0... ...0,4 В, Л„=10кОм, С„=40пФ, 7-=+25° С, не

более ........................................................0,5 мкс

Сопротивление в открьггом состоянии при [/„1 = 13,5 В, [/„2 = -13,5 В, [/°,=0,8В, [/.„,= = -10 В, /„=10мА, Г=+25°С, не

более...........................................................10 Ом

Сопротивление в открытом состоянии при [/„, = 13,5 В, [/„2=-13,5В, [/Г.=0,8В, [/,„,=0, /вх=10мА, не более:

при Г= = +25° С ..................................10 Ом

при Т= Г„,..............................................15 Ом

Емкость аналогового входа в закрытом состоянии канала при [/„, = 15 В, [/„2- -15 В,

Г=25° С, типовое значение .................35* пФ

Ёмкость аналогового выхода в закрытом состоянии канала при [/„, = 15 В, [/„2= -15 В,

Г=+25°С, типовое значение ..............40*пФ

Емкость управляющего входа при [/„, = 15 В, [„2 = -15 В, Т= +25" С, типовое

значение......................................................8 * пФ

Емкость между аналоговым входом и аналоговым выходом в открытом состоянии канала при [/„, = 15 В, [/„2 =-15 В, Г=+25°С, типовое значение ..............................................2 * пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания:

ti.................................................13,5...16,5 В

t42 ..........................................-16,5 ...-13,5 В

Входное напряжение высокого

уровня..................................................4... 16,5 В

Входное напряжение низкого

уровня .....................................................0...0,8В

Коммутируемое напряжение................... +15 В

Коммутируемый ток ................................50 мА

Температура окружающей среды:

К590КН9 .........!......................... -45...+85° С

КР590КН9 .................................-45...+70° С

Примечания: 1. Запрещается подача каких-либо электрических сигналов на выводы микросхемы, не используемые согласно функциональной электрической схеме.

2. При напряжениях питания, равных О, напряжения на выводах микросхем должны быть равны 0. Допускается наличие напряжений на выводах микросхемы при напряжениях питания, равных О, если приняты меры, исключающие протекание токов логических входов более 0,5 мА и токов аналоговых входов (выходов) более 5 мА; при этом следует обеспечить мощность, рассеиваемую микросхемой, не более 150 мВт.

* Величина (7/,«(7„„ t/„, (7„,-

/foTK, Он

-ВО-го 20 во wor.c

Зависимость времени включения ключей от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость сопротивления .открытого ключа от коммутируемого тока. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

280 240 100 160

120 80

-60 -20 20 60 .100Т,Ч

Зависимость тока потребления от положительного источника питания при высоком уровне сигнала на входе управления от-температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

т Н155ЛА8 Ш S

/Готк, Он

458 а ОУ н

-GZ3-

3 ...Юк

Типовая схема включения микросхем К590КН9 и КР590КН9 с ТТЛ-микросхемами

-/(У-/2 -8 -к -О Ч Ь Скоп, В

Зависимость сопротивления открытого ключ от коммутируемого напряжения при t/„i = = 13,5 В, С/„2=-13,5 В, 17*,=0,8 В, /,„„=10 мА и различных значениях температуры окружающей среды

/поп ""Л

Km*., Ом

1000

0,1 1 10 100/щ,иГц

Зависимость тока потребления от частоты переключения

О го io ео вотс

Зависимость выходного тока утечки от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

9 8 7 В 5

-ie -П -8 -к О h 8 и, В

Зависимость сопротивления открытого ключа от коммутируемого напряжения при С/°,=0,8 В, /,„„ = = 10 мА и различных напряжениях источников питания:

i-C/.,=9B. и„г=-9В, 2-и„, = 12В, (7.2=-12В; Jt;„, = 13,5B, (7„г=-13.5В; 4- £/„, = 16,5 В, £/„2=-16,5 В

К590КТ1, КР590КТ1

Микросхемы представляют собой четырех-канальные МОП-коммутаторы со схемами управления.

Назначение выводов: 1 - 1-й аналоговый вход; 2-2-й аналоговый выход (аналоговая общая шина); 3-2-й аналоговый вход; 4-1-й аналоговый выход; 5-3-й аналоговый вход; б-3-й аналоговый выход (аналоговая общая шина); 7-4-й аналоговый вход; 8-4-й логический вход; 9-3-й логический вход; 10-питание (+и„); 11, 12, 13-свободные; 14-общий (цифровая общая шина); 15-2-й логический вход; 16-1-й логический вход.

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания.............9 В

Ток потребления при высоком уровне входного напряжения, 1/„=9,9 В, 1/=9,1 В, Г=+25°С,

не более......................................................1 мкА

Ток потребления при низком уровне входного напряжения, £/„=9,9 В, t/°,=0,8 В, Г=-1-25°С,

не более......................................................1 мкА

Ток утечки аналогового входа при 1/„=9,9 В, [/.,=9,9 В, и 1=9,1 В, не более:

при r=-f25°C........................................50 нА

при Т= Г„.,.............................................120 нА

Ток утечки аналогового выхода при [/„=9,9 В,