П 13 12 11 10

1 г 3 i 3

КРтНТ7(А.Б) 12 11 а s 8

1 г 3 4 5 S 7

ттТ8(А,Б)

П 13 12 9 8

12 3 .7

Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к=3 мА, 4=0,5 мА, 7"=+25° С, не более ...................................................................IB

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к=3 мА, /б=0,5 мА, Г= +25° С, не более: КР198НТ5А, КР198НТ6А, КР198НТ7А,

КР199НТ8А ...............................................0,5 В

КР198НТ5Б, КР198НТ6Б, КР198НТ7Б,

КР198НТ8Б..............................................0,75 В

Обратный ток коллектора при С/кб=6 В, не

более..........................................................0,3 мкА

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кз=3 В, 1 = =0,5 мА, Г=+25°С: КР198НТ5А, КР198НТ6А, КР198НТ7А,

КР198НТ8А ..........................................20 ...125

КР198НТ5Б, КР198НТ6Б, КР198НТ7Б,

КР198НТ8Б...........................................60 ...300

Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в мик-

росхемах КР198НТ5А, КР198НТ5Б, КР198НТ6А,

КР198НТ6Б, не более....................................15%

Разброс прямых напряжений база-эмиттер дифференциальной пары в микросхемах КР198НТ5А, КР198НТ6А, не более............5 мВ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор- база; КР198НТ5А, КР198НТ6А, КР198НТ7А,

КР198НТ8А ................................................15 В

КР198НТ5Б, КР198НТ6Б, КР198НТ7Б,

КР198НТ8Б.................................................30 В

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер: КР198НТ5Б, КР198НТ6Б, КР198НТ7Б,

КР198НТ8Б.................................................30 В

КР198НТ5А, КР198НТ6А, КР198НТ7А,

КР198НТ8А ................................................15 В

Обратное напряжение коллектор-эмиттер ...................................................................15 В

Обратное напряжение эмиттер -база..........4 В

Постоянный ток коллектора......................10 мА

Постоянный ток коллектора в режиме насыщения ................................................................30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Т= = -45 ...+85" С:

одним транзистором.............................30 мВт

матрицей...............................................120 мВт

Температура окружающей

среды..............................................-45 ...+85» С

КР198УН1А, КР187УН1Б, КР198УН1В

Микросхемы представляют собой универсальный линейный каскад, выполненный на основе несимметричного дифференциального

КР198УП1(А-В)

П 13 П 11 10 о о о о о

усилителя с эмиттерным повторителем на выходе. Предназначены для усиления низкочастотных сигналов.

Корпус201.14-1(см.КР198НТ1-KPI98HT4). Масса не более 1.2 г.

Назначение выводпв: I - вход (база УТ2); 2-резистор смещения генератора стабильного тока; 3, 5-резисторы смещения транзистора VT3; 4-вход (база VT3); б -питание (-£/„); 7- выход делителя в цепи эмиттера транзистора VT4; «-питание { + U );9 выход; /О-вывод коллектора УТЗ; --вход (база VTl); 12-выход (коллектор VT1); 13 -резистор смещения транзистора VT1; 14-контрольный вывод (общая точка транзисторов VTl и VT2).

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания ±6,3 В Ток потребления при 1/„=±б,ЗВ, С/,,= 1В, /=10 кГц, Л„=1,8кОм, не более:

при Г=+25"С.........................................6мА

при Г=-45...+85"С..........................7,5 мА

Коэффициент усиления напряжения при С/„= = ±6,3 В, 1/,„,=0,8 В,/=10 кГц, Л„=1,8кОм, Г=+25 С, не менее;

КР198УН1А, КР198УН1Б.............................4

КР198УН1В .....................................................2

Коэффициент гармоник при С/„=±б,ЗВ, U„ = =0,5 В, Л„= 1,8 кОм, Л,= 1,2 кОм, Г= +25" С,

не более.........................................................10%

Коэффициент шума при U„=±6,3 В, /=1 кГц,

Лг= 1,2 кОм, Г= +25" С, не более.........30 дБ

Верхняя рабочая частота при t/„=±6,3 В, Л„=

= 1,8кОм, Г=+25"С, не менее...........1 МГц

Входное сопротивление при t/„=±6,3 В, С/„ = =0,3 В,/= 10 кГц, Т= +25" С. не менее 3,3 кОм

Предельные эксплуатационные данные

Максимальное напряжение питания..... ±6,9 В

Максимальное входное напряжение........ ±4 В

Максимальное выходное напряжение при Л„ =

= 1,8 кОм..........................................................2 В

Температура окружающей среды -45... +85° С

Схемы включении

З.ЗК

S,8i "л to

»11,1

п 13 а 11 10 S 8

12 3 1 5 S 7

zn чн

,430,1

CSlfO

2,7k

Jlcs

Принципиальная схема линейного усилителя

Вкод,

11 13 12 11 W 9 В

HF1S8m(A-B)

1 г 3 1 5 Б 7

01 15,0 кЩВЗ

\v, йВ

"5

-5 -15 -25 -35

-0,4 -0,2 О 0,2 0,4 0,Ви,Ь Ю

Принципиальная схема (о) и регулировочная характеристика (б) регулируемого усилителя

W В1 J5,0 2,7k

ВтоВ

11 1312 11 а S 8

Ш8УН1(А-В)

1 2 3 4 3/7

B3JSP

2000

030,1

-Ur.

Принципиальная схема амплитудного детектора на микросхеме КР198УН1 (А-В)

п W /<ртт(А,Б)

Назначение выводов: I-вход (база VT3); 2-резистор смещения генератора стабильного тока; i-резистор смещения транзистора VT2: 4-вход (база VT2); 5-вход змит-терного повторителя; б-питание (-£/„); 7- выход эмиттерного повторителя; 8-питание (+[/„); 9-выход эмиттерного повторителя; 10-выход (коллектор транзистора VT4); 11 - вход (база транзистора VT4); 12-выход (коллектор транзистора VT2); 13-резистор смещения транзистора VT4; 14-контрольный вывод (эмиттер транзистора УТЗ).

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания...... +6,3 В

Ток потребления при t/„=+6,3B, £/„=0, Т=

- +25° С, не более.....................................5 мА

Напряжение смещения при t/„=+6,3 В, £/„=0, Г= +25° С, не более:

КР198УТ1А ......................................... ±5 мВ

КР198УТ1Б...........................:............. ±12 мВ

Температурный дрейф напряжения смещения в диапазоне температур Г=-45...+85" С при

£/„= +6,3 В. (/„=0, не более ...........30 мкВ/° С

Максимальное выходное напряжение при £/„ =

= ±6,3 В, /=10 кГц, А,. «10%,, не менее:

при Г=+25...+85"С.............................2,5 В

при Г=-45"С...........................................2 В

Входной ток при t/„=±6.3 В, С/„=0, не более: при Г=+25 и +85" С:

КР198УТ1А .........................................10 МКА

КР198УТ1Б .........................................20мкА

при Г=-45.°С:

КР198УТ1А .........................................20мкА

КР198УТ1Б .........................................35мкА

Разность входных токов при (/„=±6.3 В, (/„,= =0, не более: при 7=+25 и +85° С:

КР198УТ1А..........................................3 мкА

КР198УТ1Б ...........................................8мкА

при Г=-45"С: "

КР198УТ1А ...........................................5мкА

КР198УТ1Б......................................... 15мкА

Коэффициент усиления напряжения при (/„= = ±6,3 В, (/„,,«0,7 В, /=10 кГц, не менее:

при Г=-45...+25°С..........................20 ...70

при Г=+85°С.....................................15 ...80

Коэффициент ослабления синфазного -сигнала при С/„=±6,ЗВ, (/„„=2,5 В, Г=+25°С, не

менее.............................................................70 дБ

Верхняя рабочая частота по уровню выходного напряжения-3 дБ при (/„=±6,3 8, Г=

= +25" С, не менее...............................0,7 МГц

Входное сопротивление при (/„= +6,3 В, (/b„,= =0,6 В, /= 10 кГц, Г= +25° С, не менее 5 кОм Выходное сопротивление при (/„=+6,3 В, (/,„,=0,6 В, /=10 кГц, Г=+25°С, не более .............................................................0,5 кОм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания................... ±5,7...+6,9 В

Максимальное входное дифференциальное напряжение при /„«2мА, на более......... ±4 В

Максимальное входное синфазное напряжение .......................................................... +2,5 В

Минимальное сопротивление нагрузки 200 Ом Температура окружающей среды -45... +85° С

Схемы включения

ЩО =Г4-

» а а It ю 9 е I г 3 i S 6 7

Типовая схема включения микросхемы КР198УТ1 (А, Б)

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник / Б. П. Кудряшов, Ю. В. Назаров, Б. В. Тарабрин, В. А. Ушибышев:-М.: Радио и связь, 1981;-160 с-(Массовая радиобиблиотека; Вып. 1033).

КР198УТ1А, КР198УТ1Б

Микросхемы представляют собой много-функдаональный дифференциальный усилитель с выходными эмиттсрными повторителями. Предназначены для усиления низкочастотных сигналов.

Корпус типа 201.14-1 (см. КР198НТ1- КР198НТ4). Масса не более 1,2 г.