Электропроводка в частном доме



Как выбрать мебель для кабинета?



Как выбрать корпусную мебель?



Как применяется модульная мебель?



Как правильно размещать розетки?



Чем популярна стеклянная мебель?



Мебельные светильники
Перейти на главную Журналы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [23] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125

Минимальный порог шумопонижения, не более ........................................................... -50 дБ

Соотношение сигнал-помеха в полосе частот 20 Гц...20 кГц, не менее ........................ 80 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания:

положительное ........................... -f5...-fl8B

отрицательное ............................ -9...-18 В

Максимальное входное напряжение (амплитудное значение) .............................................. ±14

Максимальное выходное напряжение при £/„ =

= + 15 В, t/„=±3B, не менее ..:............ ИВ

Максимальный выходной ток по выводу при

1/„=+15В, С/„=±ЗВ ..................... 6...20мА

Температура окружающей

среды ......................................... -25...+70° С

А/цщц, кГц


8 п W го/ф,кГц

Зависимость полосы пропускания шумоподавителя на микросхеме К157ХПЗ от частоты и уровня входного сигнала

В этой схеме порог шумопонижения устанавливается резистором R7: при Е7=й находится на уровне -30 дБ, а при максимальном значении резистора Л7=330 кОм достигает значения -50 дБ.

Установка конечного (верхнего) и начального (нижнего) значений полосы пропускания осуществляется резисторами и R6: при изменении сопротивления резистора R5 от О до 220 кОм начальное значение верхней граничной частоты полосы пропускания изменяется от 1 до 2,5 кГц; при изменении сопротивления резистора R6 от О до 47 кОм конечное значение верхней граничной частоты полосы пропускания изменяется от 20 до 30 кГц.


Типовая схема включения микросхемы К157ХПЗ в аппаратуре воспроизведения звука [17]

Дополнительная литература

1. Адаптивный противошумный процессор К157ХПЗ для звукотехнической аппаратуры/ В. В. Андрианов, Г. П. Апреленко, А. И. Рыбалко, О. Ф. Тагоня Электронная промышленность.-1985.-Вьш. 7(145).-С. 19-21.

2. Все о микросхеме К157ХПЗ/В. В. Андрианов, Г. П. Апреленко, А. И. Рыбалко, О. Ф. Та-гоня Радио.-1985.-№ П.-С. 33-36,

Схемы включения

ег „те

* - 85ПВН


Выход „

1!е*7к ВГдМ

Выкл.

Основная схема включения микросхемы К157ХПЗ

2.5. Микросхемы серии КР159

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, КР159НТ1В, КР159НТ1Г, КР159НТ1Д, КР159НТ1Е

Микросхемы серии КР159 представляют собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначены для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Корпус типа 2101.8-1. Масса не более 0,7 г.



♦ jTLTtim t

HP159HT1(AE)

=7/ УЛ,

ГТ1 ITI Il.

Назначение выводов: 2-коллектор VTl; 5-база VTl; эмиттер VTl; 5-эмиттер VT2; б-база VT2; 7-коллектор VT2.

Электрические параметры

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер при /3=1 мА, {7кб=5 В,

Г=+25°С ...................................... 0,55 ...0,75 В

Модуль разности прямых напряжений база- эмиттер при /э=1 мА, г7кБ=5 В, Г=--25°С, не более:

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, KP159HTIB....3 мВ КР159НТ1Г, КР159НТ1Д,

КР159НТ1Е........................................... 15 мВ

Обратный ток коллектора при {7кб=20 В,

Г=+25°С, не более ............................. 200 пА

Обратный ток эмиттера при {7эб=4 В, Г=

= +25° С, не более ............................... 500 пА

Ток утечки между любыми электродами двух транзисторов при {7кг1,12=20 В, Г=+25°С,

не более :.................................................... 20 нА

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при /э=1 мА, {7кэ= = 5 В, Г=+25°С:

КР159НТ1А, КР159НТ1Г .................. 20 ...80

КР159НТ1Б, КР159НТ1Д ................ 60... 180

КР159НТ1В, КР159НТ1Е, не менее ....... 80

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Г/кэ=5 В, /э=3 мА,

/=100 МГц, 7=+25° С, не менее ............... 2

Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером первого и второго транзисторов при 1/кэ=5 В, /э=1 мА, 7-=+25° С:

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, КР159НТ1В .... 0,85 КР159НТ1Г, КР159НТ1Д, КР159НТ1Е .... 0,75 Емкость коллекторного перехода при Г/эб=1 В,

/=10 МГц, 7-=+25° С ............................. 4пФ

Емкость эмиттерного перехода при Г/эб = 1 В, /=10 кГц, Г=+25°С ............................... 5пФ

Предельные эксплуатацнонвые данные

Напряжение коллектор-база ................. 20 В

Напряжение эмиттер-база ....................... 4 В

Напряжение между транзисторами ........ 20 В

Ток коллектора (постоянный) .............,. 10 мА

Импульсный ток коллектора (при

<„=30 мкс) ................................................. 40 мА

Мощность рассеивания:

при Г=-60 + 70° С ........................... 50 мВт

130° с т

при Г= +70... +100° С..................., „

1,2° С/мВт

рос, max

KF15mi(A-£)

-60 -40 -го о 20 40 so 80 vc

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды

/б, мнА

80 ВО 40

HFISmUA-E)

700и,н8

Типовые входные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем в схеме с общим эмиттером

1.2 0,8

.0,4

кртпл(А,г)

тА -

гОнкА

ИмкА

4 В 12 IB 03, В

Типовые выходные характеристики транзисто-пов, входящих в состав микросхем КР159НТ1 (А, Г)



0,8 «4

Б,й)

1г,5пкА

7,5ni<A

5 МКА

г,1мкА

Типовые выходные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем КР159НТ1 (Б, Д)

If 8 12 1BUf3,8

2.0 1,8 1,2

Типовые выходные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем KPI59HT1 (В, Е)

«4

TfiBmA

ЪтА -Г

. -j

\ 6 12 WVQ.B


"213

ft 2131

10- 10- lOr 1,0 10Ц, НА

2,1 1.1 1.3 0.9 0.5 0.1

КР1Ш1 (А-Е)

Зависимость нормированного коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока эмиттера (/22130-коэффициент передачи тока при /з = 1 мА). Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

1,15 1,10 1,05

1.0 0,95

НР15Ш1 (А-В)

20 0 20 ВО ЮОТ.С

1,1 1.0 0.9 0,8 0.7 0,6

HPismUA-E)

1 2 3 If 5 B7I,iiA

Типовая зависимость нормированного коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от температуры

окружающей среды при Г/„з = 5В, /3=1 мА: /г21эо- коэффициент передачи тока при Г=+25С

2 ♦ В 8 10 12 ИО.В

Типовая зависимость модуля разности прямых напряжений база-эмиттер от напряжения коллектор-база при /з=50мкА, Г=+25°С

1,<1 1.2 1,0 0.8 0,6

-Вт1"В

КРШИЛ (А-В)

Типовая зависимость нормированного значения модуля коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока эмиттера при 1/кэ=5 В, Г=--25°С: I/12130I-модуль коэффициента передачи тока при 4=1 мА

1,2 1,0

0,8 0.В «4

msmi (А-В)

1.0I„iiA

Типовая зависимость модуля разности прямых

напряжений база- эмиттер от тока эмиттера при Г/кБ=4,5 В, Г=+25°С

-60 -20 О 20 60 1ВВТ,°С

Типовая зависимость модуля разности прямых напряжений база- эмиттер от температуры окружающей среды при {7кБ=5В, /3=

=0,05... 1мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 [23] 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125