Минимальный порог шумопонижения, не более ........................................................... -50 дБ

Соотношение сигнал-помеха в полосе частот 20 Гц...20 кГц, не менее ........................ 80 дБ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания:

положительное ........................... -f5...-fl8B

отрицательное ............................ -9...-18 В

Максимальное входное напряжение (амплитудное значение) .............................................. ±14

Максимальное выходное напряжение при £/„ =

= + 15 В, t/„=±3B, не менее ..:............ ИВ

Максимальный выходной ток по выводу при

1/„=+15В, С/„=±ЗВ ..................... 6...20мА

Температура окружающей

среды ......................................... -25...+70° С

А/цщц, кГц

8 п W го/ф,кГц

Зависимость полосы пропускания шумоподавителя на микросхеме К157ХПЗ от частоты и уровня входного сигнала

В этой схеме порог шумопонижения устанавливается резистором R7: при Е7=й находится на уровне -30 дБ, а при максимальном значении резистора Л7=330 кОм достигает значения -50 дБ.

Установка конечного (верхнего) и начального (нижнего) значений полосы пропускания осуществляется резисторами и R6: при изменении сопротивления резистора R5 от О до 220 кОм начальное значение верхней граничной частоты полосы пропускания изменяется от 1 до 2,5 кГц; при изменении сопротивления резистора R6 от О до 47 кОм конечное значение верхней граничной частоты полосы пропускания изменяется от 20 до 30 кГц.

Типовая схема включения микросхемы К157ХПЗ в аппаратуре воспроизведения звука [17]

Дополнительная литература

1. Адаптивный противошумный процессор К157ХПЗ для звукотехнической аппаратуры/ В. В. Андрианов, Г. П. Апреленко, А. И. Рыбалко, О. Ф. Тагоня Электронная промышленность.-1985.-Вьш. 7(145).-С. 19-21.

2. Все о микросхеме К157ХПЗ/В. В. Андрианов, Г. П. Апреленко, А. И. Рыбалко, О. Ф. Та-гоня Радио.-1985.-№ П.-С. 33-36,

Схемы включения

ег „те

* - 85ПВН

Выход „

1!е*7к ВГдМ

Выкл.

Основная схема включения микросхемы К157ХПЗ

2.5. Микросхемы серии КР159

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, КР159НТ1В, КР159НТ1Г, КР159НТ1Д, КР159НТ1Е

Микросхемы серии КР159 представляют собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненных по планарной технологии с изоляцией элементов диэлектриком. Предназначены для использования в качестве базовой схемы дифференциального усилителя и других балансных схем в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.

Корпус типа 2101.8-1. Масса не более 0,7 г.

♦ jTLTtim t

HP159HT1(AE)

Назначение выводов: 2-коллектор VTl; 5-база VTl; эмиттер VTl; 5-эмиттер VT2; б-база VT2; 7-коллектор VT2.

Электрические параметры

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер при /3=1 мА, {7кб=5 В,

Г=+25°С ...................................... 0,55 ...0,75 В

Модуль разности прямых напряжений база- эмиттер при /э=1 мА, г7кБ=5 В, Г=--25°С, не более:

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, KP159HTIB....3 мВ КР159НТ1Г, КР159НТ1Д,

КР159НТ1Е........................................... 15 мВ

Обратный ток коллектора при {7кб=20 В,

Г=+25°С, не более ............................. 200 пА

Обратный ток эмиттера при {7эб=4 В, Г=

= +25° С, не более ............................... 500 пА

Ток утечки между любыми электродами двух транзисторов при {7кг1,12=20 В, Г=+25°С,

не более :.................................................... 20 нА

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при /э=1 мА, {7кэ= = 5 В, Г=+25°С:

КР159НТ1А, КР159НТ1Г .................. 20 ...80

КР159НТ1Б, КР159НТ1Д ................ 60... 180

КР159НТ1В, КР159НТ1Е, не менее ....... 80

Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Г/кэ=5 В, /э=3 мА,

/=100 МГц, 7=+25° С, не менее ............... 2

Отношение статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером первого и второго транзисторов при 1/кэ=5 В, /э=1 мА, 7-=+25° С:

КР159НТ1А, КР159НТ1Б, КР159НТ1В .... 0,85 КР159НТ1Г, КР159НТ1Д, КР159НТ1Е .... 0,75 Емкость коллекторного перехода при Г/эб=1 В,

/=10 МГц, 7-=+25° С ............................. 4пФ

Емкость эмиттерного перехода при Г/эб = 1 В, /=10 кГц, Г=+25°С ............................... 5пФ

Предельные эксплуатацнонвые данные

Напряжение коллектор-база ................. 20 В

Напряжение эмиттер-база ....................... 4 В

Напряжение между транзисторами ........ 20 В

Ток коллектора (постоянный) .............,. 10 мА

Импульсный ток коллектора (при

<„=30 мкс) ................................................. 40 мА

Мощность рассеивания:

при Г=-60 + 70° С ........................... 50 мВт

130° с т

при Г= +70... +100° С..................., „

1,2° С/мВт

рос, max

-60 -40 -го о 20 40 so 80 vc

Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды

/б, мнА

80 ВО 40

700и,н8

Типовые входные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем в схеме с общим эмиттером

1.2 0,8

.0,4

4 В 12 IB 03, В

Типовые выходные характеристики транзисто-пов, входящих в состав микросхем КР159НТ1 (А, Г)

0,8 «4

Типовые выходные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем КР159НТ1 (Б, Д)

If 8 12 1BUf3,8

2.0 1,8 1,2

Типовые выходные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем KPI59HT1 (В, Е)

«4

\ 6 12 WVQ.B

"213

ft 2131

10- 10- lOr 1,0 10Ц, НА

2,1 1.1 1.3 0.9 0.5 0.1

Зависимость нормированного коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока эмиттера (/22130-коэффициент передачи тока при /з = 1 мА). Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

1,15 1,10 1,05

1.0 0,95

20 0 20 ВО ЮОТ.С

1,1 1.0 0.9 0,8 0.7 0,6

HPismUA-E)

1 2 3 If 5 B7I,iiA

Типовая зависимость нормированного коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от температуры

окружающей среды при Г/„з = 5В, /3=1 мА: /г21эо- коэффициент передачи тока при Г=+25С

2 ♦ В 8 10 12 ИО.В

Типовая зависимость модуля разности прямых напряжений база-эмиттер от напряжения коллектор-база при /з=50мкА, Г=+25°С

1,<1 1.2 1,0 0.8 0,6

-Вт1"В

Типовая зависимость нормированного значения модуля коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером от тока эмиттера при 1/кэ=5 В, Г=--25°С: I/12130I-модуль коэффициента передачи тока при 4=1 мА

1,2 1,0

0,8 0.В «4

1.0I„iiA

Типовая зависимость модуля разности прямых

напряжений база- эмиттер от тока эмиттера при Г/кБ=4,5 В, Г=+25°С

-60 -20 О 20 60 1ВВТ,°С

Типовая зависимость модуля разности прямых напряжений база- эмиттер от температуры окружающей среды при {7кБ=5В, /3=

=0,05... 1мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость