Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 10 11 12 13 14 15 16 ... 125 КР142ЕН8В.............................................. 0,05%/В К142ЕН8Г-К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г- КР142ЕН8Е...............................................0,1%/В при -45° С: К142ЕН8А-К142ЕН8В, КР142ЕН8А- КР142ЕН8В...............................................0,1%/В К142ЕН8Г-К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г- КР142ЕН8Е..............................................0,2%/В Минимальное падение напряжения при С/„= = t/.b„= +2,5 В, Г= +25 С, не более........2,5 В Температурный коэффициент напряжения при t/„=20B, 4„=10мА, Г=-45...85° С, не более: К142ЕН8А-К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В............................................0,02%/°С К142ЕН8Г-К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г- КР142ЕН8Е............................................0,03%/°С Коэффициент сглаживания пульсаций при t/„= =20 В, /,„=10 мА, Г=+25°С, не менее...............................................................30 дБ Коэффициент нестабильности по току при 7"=+25°. С, не более: при [/„= 12 В для К142ЕН8А, КР142ЕН8А.........................................0,67%/А при t/„= 15 В для К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б..........................................0,67%/А при t/„=18 В для К142ЕН8В, КР142ЕН8В..........................................0,67%/А при t/„= 12 В для К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г............................................1,5%/А при t/„=15 В для К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д........................................... 1,5%/А при t/„=18 В.для К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е............................................1,5%/А Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Г„= -45...100° С: К142ЕН8А-К142ЕН8В, КР142ЕН8А - КР142ЕН8В...............................................35 В К142ЕН8Г-К142ЕН8Е, КР142ЕН8Г- КР142ЕН8Е............................................30 В Выходной ток: при Г.= -25...+70°С: К142ЕН8А-К142ЕН8В........................1,5 А К142ЕН8Г~К142ЕН8Е............................1 А при /-,= -45 и + 100° С...........................0,5 А Рассеиваемая мощность: при Г,= -45...70°С...................................8 Вт при Г. = + 100° С ..•......................................5 Вт Температура окружающей среды . -45° С...Т = = +100° С При7;=+70-.. + 100"С/>р„ „„изменяетсялинейно. Примечания- 1 В качестве вывода «Общий» рекомендуется использовать (наряду с вы- • водом 8) корпус микросхемы. 2. Допускается подача напряжения на выход микросхемы до 15 В при отсутствии напряжения на входе. 3. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 4. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие генерации на входе с амплитудой, превышающей t/„ . Пых,ион 0,8 0.6
0.5 1 1,5 г /»,„, А г/выхМы... / i.5 /вь,„ А «ЫхМыХ. МОП 0,8 0.6 0,1, 0.1 КтЕ118(А-Е), mZEHSM f ,}1Ы,А Выходные характеристики мик- Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область росхем. Заштрихована область разброса значений параметров разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая за- линией обозначена типовая зависимость висимость Выходные характеристики микросхем. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость К„. дБ ВО 10 60 50 40 30
1 10 10 10 10* 10 llfifjn Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения. Заштрихована область разбрюса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость Схема включения кшне(А-Е} КтгЕН8(А-Е) тгЕН9(А-Е) Типовая схема включения микросхем К142ЕН8, КР142ЕН8, К142ЕН9 (С;0,33 мкФ, С2= \ мкФ) Дополнительная литература Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы: Справочное пособие/С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского-2-е изд; перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1984.-384 с. К142ЕН9А, К142ЕН9Б, К142ЕН9В, К142ЕН9Г, К142ЕН9Д, К142ЕН9Е Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированньт< выходным напряжением. Принципиальная схема соответствует приборам К142ЕН8А-К142ЕН8Е. Корпус типа 4116.4-2 [см.К142ЕН5 (А-Г)]. Масса не более 3 г. Нсаначение выводов: 2-выход; 8-общий; /7-вход. Электрические параметры Выходное напряжение при t/,,=35 В для К142ЕН9АК142ЕН9В и t/„=30 В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, /„„=10 мА, Г= = +25° С: К142ЕН9А........................................20±0,4 В К142ЕН9Б.......................................24±0,48 В К142ЕН9В.......................................27 +0,54 В К142ЕН9Г.........................................20+0,6 В К142ЕН9Д...................................... 24±0,72 В К142ЕН9Е......................................27±0,81 В Ток потребления при [/,,=40 В для К142ЕН9А-К142ЕН9В и [/.,=35 В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, /.„,=0, Г=+25°С, не более: К142ЕН9А-К142ЕН9В.........................1 мА К142ЕН9Г-К142ЕН9Е......................1,5 мА Дрейф напряжения (за 500 ч) при [/.,=40 В для К142ЕН9А-К142ЕН9В и [.,=35 В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, Г, = 100° С, не более: К142ЕН9А-К142ЕН9В...........................1% К142ЕН9Г-К142ЕН9Е.........................1,5% Коэффициент нестабильности по напряжению при [/.,=35 В для К142ЕН9А-К142ЕН9В и [г„=30В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, /.„,= = 10 мА, не более: . при Г=+25...+85°С: К142ЕН9А-К142ЕН9В...................0,05%/В К142ЕН9Г-К142ЕН9Е....................0,1%/В при Г=-45° С: Ki42EH9A-К142ЕН9В.....................ОД%/В К142ЕН9Г-К142ЕН9Е.....................0,2%/В Минимальное падение напряжения при U„= = £.ых=+2,5В, Г=+25°С, не более .... 2,5 В Температурный коэффициент напряжения при [/., = 35 В для К142ЕН9А-К142ЕН9В и [/.,= =30 В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, Г= -45...+ 85° С, не более: К142ЕН9А-К142ЕН9В.................0,02%/°С К142ЕН9Г-К142ЕН9Е..................0,03%/°С Коэффициент сглаживания пульсаций при [/.,=35 В для К142ЕН9А-К142ЕН9В и [/.,= =30 В для К142ЕН9Г-К142ЕН9Е, /.„,= = 10 мА, Г= +25° С, не менее...............30 дБ Коэффициент нестабильности по току при [г.,=23 В для К142ЕН9А, К142ЕН9Г, U„=TJ В для К142ЕН9Б, К142ЕН9Д и [.,=30 В для К142ЕН9В, К142ЕН9Е, Т= +25° С, не более: К142ЕН9А-К142ЕН9В...................0,67%/А К142ЕН9Г-К142ЕН9Е..................... 1,5%/А Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение при Г,= -45... + 100° С: К142ЕН9А-К142ЕН9В..........................40 В К142ЕН9Г-К142ЕН9Е.........................35 В Выходной ток*: при Г,= -20...+70° С: К142ЕН9А-К142ЕН9В........................1,5 А К142ЕН9Г-К142ЕН9Е............................1 А при r,=-45°C.......................................0,5 А при Г=: + 100°С.....................................0,5 А Рассеиваемая мощность: Г.= -45...+70°С.......................................6 Вт 7;= + 100°С...............................................ЗВт При 7;=+70... + 100С /„ линейно. и F„ изменяются Примечания: 1. В качестве вывода «Общий» рекомендуется использовать (наряду с вьтодом 8) корпус микросхемы. 2. Допускается подача напряжения на вькод микросхемы до 27 В при отсутствии напряжения на входе. 3. Разрешается производить монтаж микросхем 2 раза, демонтаж 1 раз. 4. Емкость входного конденсатора должна быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора до микросхемы не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие генеравд!и на входе с амплитудой [/„ . Дополнительная литература Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы: Справочное пособие/С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского-2-е изд., перераб. и доп.- М,: Радио и связь, 1984.-384 с. К142ЕтА, К142ЕП1Б Микросхемы представляют собой устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения. Кор-пус типа 402.16-7 [см. К142ЕН1 (А-Г)]. Масса не более 1,4 г. Назначение выводов: 1-база VT1; 2-коллектор VT2: 3-коллектор VT3; 4-база. VT3: J-питание (+t/„i); б-эмиттер VT1; 7- база VT1; 8-общий; 9-опорное напряжение; ООО о о "ТУ 9 к 1 « 10-питание 11-выход порогового устройства; 12, 13-входы управления; 14, 15-входы синхронизации; 16-эмиттер VT2. Электрические параметры Номинальное напряжение питания: ......................................................10 ... 40 В ..........................................................5 ... 7 В Ток закрытой микросхемы при [/„=40В, [/,„„=40 В, не более: при Т= +25...-45 С.........................100 мкА при Г=+85°С............................... 200 мкА Ток потребления узла опорного напряжения при [/„,=40 В, Г=-Ь25°С, не более: К142ЕП1А................................................2 мА К142ЕП1Б................................................3 мА Ток потребления узла порогового устройства при [/„1=40 В, /=50 Гц, Г=-1-25° С, не более: К142ЕП1А................................................9 мА К142ЕП1Б............................................12 мА Опорное напряжение при [f„, =40 В, [,ом=0 В, Т= +25" С: К142ЕП1А.....................................1,7 ... 2,2 В К142ЕП1Б....................................1,65 ... 2,3 В Напряжение гистерезиса при [/„i=40B, [/,„„= =40 В, /,„=50 мА, Г=+25°С, не более: К142ЕП1А................................................5 мВ К142ЕП1Б................................................бмВ Остаточное напряжение при [/„i=40B, не более: при Г=+25°С, /„=200 мА: К142ЕП1А................................................1,8 В К142ЕП1Б................................................1,9 В при Г=-45°С, /„=200 мА: К142ЕП1А................................................2,2 В К142ЕП1Б................................................2,3 В при Г=+85С, /„=50 мА: К142ЕША...............................................1,8 В К142ЕП1Б..................................................2 В Температурный коэффициент опорного напряжения при [f„,=40B, не более.......0,05%/°С Коэффициент нестабильности опорного напряжения по напряжешию питания при [„1=40 В, [ом=40В, не более.............................0,03%/В Коэффициент нестабильности по напряжению при работе в режиме широтно-импульсной модуляции: при Г=+25°С: [/„=20 В, [/,„ = 5 В, Л[/..= ±5В; 4= =0,5 А............................................0,02...0,29%/В [/„=40 В, [/,„=30 В, Л[/..= ±5В, 4= =0,5 А.........................................0,001...0,03%/В при Г=-45°С: [/„=20 В, [/,„=12 В, Д[/„=±5В, 4= =0,2 А............................................0,01...в,02%/В при Г=+85°С: 0 ... 10 11 12 13 14 15 16 ... 125 |