2.23. Микросхемы серий К1108 и КР1108

Микросхемы серий К1108 и КР И 08-комплект цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей. Предназначены для построения различной аппаратуры с цифровой обработкой аналоговых сигналов, а также устройств сопряжения радиоэлектронной аппаратуры с-ЭВМ. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов р-п переходом. Микросхема К1108ПВ1 выполнена комбинированным методом, сочетающим полупроводниковую и тонкопленочную технологии (резистмвная матрица).

В состав серии входят:

К1108ПА1А, К1108ПА1Б- 12-разрядные быстродействующие цифро-аналоговые прецизионные преобразователи;

К1108ПВ1 А, KI108ПВ1Б- Ш-разрядные прецизионные быстродействующие функционально законченные аналого-цифровые преобразователи последовательного приближения;

К1108ПП1, КР1108ПП1 - прецизионные преобразователи напряжение-частота-напряжение.

К1108ПА1А, К1108ПА1Б

Микросхемы представляют собой 12-разрядные быстродействующие прецизионные цифро-аналоговые преобразователи. Выполнены методом полупроводниковой технологии на основе биполярных транзисторов с изоляцией р-п переходом.

Корпус типа 21 ОБ.24-1. Масса не более 5 г.

Назначение выводов: 1-питание (+ t/„i); 2- питание (-£/„2); i-выход ОУ компенсации; 4-опорное напряжение; 5, 7-вывод R54; б- общий вывод матрицы R-2R, 8-выход ЦАП; 9-общий вьгеод Л 55 и У? 56; 10-вывод Л 56; 11-вход ОУ компенсации; 12-общая шина

ZWE. 24-f

2i W

itl [1 itl l?lltl rtllTl itlltl

/ 29,5 Й

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания:

t/ni.................................................................5 В

£2..........................................................-15 В

Ток потребления от источника t/„i при t/„i =

= 5 В, [/„2 = -15 В, [/„„=10,24 В, t/,=0,8 В, не

более:

при Г=+25°С........................................15 мА

о 6 6

3 2 f

ш8пана.ю

К-2R матрица

I I I I I I I Il I I I I I I I I II ГТТ

Cxeiftt сВВига и согтсебаш Входных уродней

\ \ \ \ \ \ \ \ i i i-Г

13 П IS № 17 IB IS и 21 Zl 2} г*

при r= -10 и +70" С............................17 мА

Ток потребления от источника U„i при t/„i=5 В, t/„2=-15 В, С/„„= 10,24 В, t/ = 0,8 В. не более:

при Г=+25" С........................................46 мА

при Г= - 10 и +70" С............................48 мА

Входной ток высокого уровня при U„i=5 В, t/„2=-l5 В. t/„„= 10,24 В, t/„,=2 В, не более:

при Г=+25"С....................................100 мкА

при 7"= -10 и +70" С........................150 мкА

Входной ток низкого уровня при и„1 = 5 В. t/„2=-15 В, t/„„= 10.24 В, t/,",=0,8 В, не более:

при Г=+25С.................................... ЗООмкА

при Г= -10 и +70" С........................ 400 мкА

Дифференциальная нелинейность при U„i = S В, 17„2=-15 В, t/„„= 10,24 В. иХ=2 В, t/.°=0,8 В:

при Г=+25"С.................................. ±0,024%

при Г= -10 и +70 С....................... ±0,048%

Абсолютная погрешность преобразования в конечной точке шкалы при f„i = 5 В, [/„2 = = -15 В, t/e„ = 10,24 В. U,=ш2 В; t/=0,8 В:

при Г=+25"С...................................... ±0,3%

при 7"= -10 и +70" С.......................... ±0,5%

Время установления выходного тока при l/„i = 5 В, 17„2=-15 В, £/„„= 10,24 В, 17Д = 2 В, t/,",=0.8 В, Г=+25 С, не более;

К1108ПА1А............................................. 400 не

К1108ПА1Б.............................................700 не

Предельные эксплуатацноиные данные

Напряжение питания:

1/„. -.................................................4,7...5.3 В

t/„2............................ ............ -15,8...-14,2 В-

Опорное напряжение............................2... 10,5 В

Входное напряжение низкого уровня ... 0...0,8 В Входное напряжение высокого уровня 2 В... t/„i

Выходное напряжение................................. ±1 В

Температура окружаюшей среды -10...+70° С

/цх. It,, инА

Примечания: 1. Среднее значение выходного тока 5 мА при t/„„= 10,24 В. Среднее значение тока источника опорного напряжения 1,25 мА rs4=A кОм, r5s = rs6 = 2 кОм.

2. Допустимое значение статического потенциала не более 30 В.

3. Не допускается ультразвуковая очистка микросхем.

4. Запрещается подача электрических сигналов на выводы микросхемы при выключенных источниках питания. При проверке целостности цепей аппаратуры с вмонтированными микросхемами напряжения, подаваемые на любые выводы, не должны превышать 0,5 В, а ток 1 мА.

5. Недопустимо попадание внешнего электрического потенциала на крышку корпуса.

го 10 ео t,°z

Зависимость выходного тока от температуры окружающей среды

ШВПА1(А.Б)

8,6 8,1

39 8,8

38 . 8,3

37 8,1

1,75 5 l/,,.S

Зависимости входного тока от напряжения первого источника питания:

/-входной тох при низком уровне «хоаного йвпряженни; 2- входной тек при высоком уровне Ёходного нвмряжепия

38,1

38,г

-гл о го 10 80t,z

Зависимости токов потребления от источников питания от температуры окружающей среды

1j5 5 Ч,„В

Зависимости токов потребления от источников питания от напряжения первого источника питания

0,013

0,012

0,011

npff

-15,75

-n,25 l/,i,B

-20 О го 40 so Il

Зависимости входного тока при высоком и Зависимость дифференциальной нелинейности и

низком уровнях входного напряжения от тем- абсолютной погрешности преобразования от пературы окружающей среды напряжения второго источника питания

пет). ЧА

0,4 -15,75

38,В

38,2

0,1 0,1

0,011

-15 -n,2BUi,B -20 О 20 40 SOT.Z

Зависимости токов пот- Зависимости дифференциальной ребления от напряжения нелинейности и абсолютной по-второго источника пита- грешности преобразования от тем-ния пературы окружающей среды. За-

штрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем

Зависимости дифференциальной нелинейности и абсолютной погрешности преобразования от напряжения первого источника питания

уст/ tjjCTio;

Зависимость времени установления выходного тока от емкости нагрузки

1,1 1

20 40 ВО 80 100 120 140С„лР