/= 1 кГц, не более...................................-80 дБ .

типовое -значение................................-100 дБ

Перенос заряда при [/„= + 12 В, [„=0, С,р=

= 10 нФ, типовое значение.......................0,5 мВ

Скорость изменения выходного напряжения в режиме хранения при [?„= + 12В, [?„,=5В, С.р=100апФ:

при Г=+25°С, не более..................5 мВ/мс

типовое значение...............................0,2 мВ/мс

при 7=-10 и +70° С, не более.. 50 мВ/мс Время установления в режиме хранения при

[/„= + 12 В, типовое значение................0,4 мкс

Напряжение смещения при [/„= -12 В, не

более..............................................................30 мВ

типовое значение.......................................5 мВ

Or,, »В

100 1000 С.пФ

Зависимость величины переноса заряда микросхемами К1100СК2 и КР1100СК2 от емкости хранения при [/ = = + 12 В, [/„=0

1т > "А

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания.....................±6... ± 13,2 В

Входное напряжение....................................+5 В

Сопротивление нагрузки..........................10 кОм

Температура окружающей

среды...............................................-10... +70° С

Примечания: 1.В качестве емкости хранения рекомендуется использовать конденсатор типа ФТ-1.

2. Управление микросхемы осуществляется от ТТЛ-логики: режиму выборки соответствует уровень лог. 1; режиму хранения-уровень лог. 0.

-100 -90 -80 -10 -ВО

10 30 so 70 18

Зависимость тока потребления от температуры окружающей среды при [/„= = ±12 В, [/„=0

10 10 10* lOfJu

Зависимость уровня прямого прохождения входного сигнала на выход микросхем К1100СК2 и КР1100СК2 от частоты при [/„= = +12 В, [/„ = 5 В, Qp= ОООпФ

dOt/dt, пВ/пс

110 100

-10 10 30 50 70 T,Z

Зависимость уровня прямого про- Зависимость скорости нарас-хождения входного сигнала на вы- тания выходного напряже-ход микросхем К1100СК2 и ния от температуры окружа-КР1100СК2 от емкости хранения ющей среды

при [/„=±12 В, [/„ = 5 В,/=1 кГц, Г=+25°С

110 100

-10 10 30 50 10

Зависимость апертурной задержки от температуры окружающей среды

te, пне

10"

10* С,п9

пот, if

± ±7 ±У i */Jif,,e.

Зависимость времени выборки от емкости хра- Зависимость тока потребления от напряжения

нения

питания

Схемы включении

Птн 1121к

Вход

Вход

управления gf

ilSI

8(7)

Типовая схема включения микросхем К1100СК2 и КРИ00СК2. В скобках указаны номера выводов для КР1100СК2

В этой схеме балансировка по напряжению смещения в режиме выборки осуществляется резистором R2.

Малые входные токи схемы управления электронным ключом обеспечивают возможность прямой подачи сигнала управления на входы управления микросхемы К1100СК2 (КР1100СК2) от схем, построенных на ТТД- и КМОП-логике. Нормальное функционирование микросхемы обеспечивается при напряжениях управляющего сигнала на входах схемы управления от - f„-t-3B до -;-[/„-3 В. Схемы управления микросхемами К1100СК2 и КР1100СК2 приведены ниже.

Скорость изменения выходного напряжения в режимах хранения определяется токами утечки микросхемы, изоляционным сопротивлением монтажной платы и емкостью хранения и может быть снижена до определенных пределов высоким качеством монтажа, промывкой плат и специальным покрытием. Существуют и другие

схемотехнические методы уменьшения изменения выходного напряжения в режиме хранения. Один из таких способов основан на перезаписи выходного напряжения «быстрого» (с временем выборки менее 10 мкс) на вспомогательное «медленное» (с временем выборки порядка 15 мс) устройство выборки-хранения (УВХ), запускаемое логической командой «быстрого» УВХ. Скорость изменения выходного напряжения такой схемы при Т= + 25" С не превышает 0,5 мкВ/мс.

На двух микросхемах К1100СК2 и операционном усилителе можно построить усилитель с программируемым коэффициентом усиления. При управляющем сигнале положительной полярности коэффициент усиления напряжения равен 100, а при отрицательной -10.

Компенсация ошибки из-за переноса заряда может быть достигнута подачей на емкость хранения противофазного сигнала с потенциометра, включенного в цепь обратной связи вспомогательного инвертора, построенного на микросхеме К140УД8. При С,р=0,01 мкФ и t/ynp = 5B схема позволяет производить регу-. лировку амплитуды выходного сигнала в пределах +4 мВ.

Микросхемы К1100СК2 и КР1100СК2 могут применяться в системах сбора данных.Типовая схема системы сбора данных состоит из многоканального , мультиплексора с подключенными последовательно устройством выборки-хранения и аналого-цифровым преобразователем, схемы цифрового управления и адресного счетчика. По сигналам схемы управления мультиплексор подключает выбранный канал ко входу УВХ, а устройство выборки-хранения запоминает мгновенное значение аналоговогсЗ сигнала и хранит его в течение времени преобразования АЦП.

8(1)

7(8)

czo,ijM.

5(0)

1(2)

6(7)

сз 0.1 т илвгг

яг КЗ

4,7к 410к

Принципиальная схема устройства выборки-хранения, позволяющая уменьшить скорость изменения выходного напряжения в режиме хранения в 100 раз

ВхоЬ-

3(4)

*5в-0

Хратие

Вход

Выход

Jhci сг

Выход ко)

Вход

В1 Юк

Хракше

Хранение

Выборка Jk

-пв-

Бл. Вход

7(81 сг

Выход

Хранение

Варианты включения микросхем К1100СК2 и КР1100СК2 при различных Зфовнях управляющего напряжения

Принципиальная схема усилителя* с программируемым коэффициентом усиления

В,2к\

9"Р

*В..гВВт

3JSK

3(4)

8(11

Лр-№0

-6..г9в BIB

R5 4,7к 4ZZH

з(»

8(1)

кртоснг (шоскг)

-V-IZB

Вы-?Щ2П- 0 ВВ ЮОк

кртош (ктвш)

И7 4,7к

ВВ1К

ВАЗ Н5ПУЦ1

В9 ЮОк