Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 96 97 98 99 100 101 102 ... 125 Вход Зап. BlfBN Вых В -JLTL Вхов подупирушто =t тпряжеиия
3 ЛП- Выход Вход wdjfj!apy№B(eeo 1 напряжения Принципиальные схемы модуляторов на микросхеме КР1006ВИ1: а-широтно-импульсного; б-фазово-импульсного Дополнительная литература 1. Пецюх е., Казарец А. Интегральный таймер КР1006ВИ1 Радио.-1986.-№ 7.-С. 57, 58. 2. Певницкий С. Цифровой измеритель ем-кости Радио.-1984.-№ 10.-С. 46, 48. 3. Помехоустойчивое фотореле Радио.- 1984.-№ П.-С. 58. 4. Простой преобразователь напряжение- частота Радио.-1985.-№ 2.-С. 61. 5. Шило В. Л. Функциональные аналоговые интегральиые микросхемы.- М.: Радио и связь, 1982.-128 с. 2.19. Микросхемы серии КР1014 КР1014КТ1А, КР1014КТ1Б, КР1014КТ1В Микросхемы представляют собой ключи. Выполнены на МОП-транзисторах. Предназначены для коммутации электрических цепей. Корпус типа 2101.8-1. Масса не более 1 г. Назначение выводов: I, 8-управляющие входы; 4, 5-выходы; 2, 3, б, 7-входы. Электрические параметры Обратное напряжение (падение напряжения на канале ключа при инверсном включении) при Л„„ = 110 мА, Т= +60... +70° С, не более. 1 В Управляющий ток при (7,„р=5 В, Г=-60... ... +70° С, не более....................................1 мкА Ток утечки на входе при 75 В, Т= = -60... +55° С, не более: КР1014КТ1А, КР1014КТ1Б..................20 мкА КР1014КТ1В............................................10 мкА Частота переключения при 1/у„р=5 В, £/.„„ = =75 В, /фр.у„р=250 НС, Л,„,„„.с=300 Ом, Г= = - 60... + 70° С, не более.....................100 кГц ZW1. 8-1 Габаритный чертеж корпуса 2101.8-1 1,В о- г.з,в,7 Принципиальная схема микросхемы КР1014КТ1 Время включения и выключения при f/ynp= = 5 В, 1/.„„=75В, гфр.упр=250 НС, Лв„.„ст.с= = 300 Ом, Г= -60... + 70° С, не более... 5 мкс Сопротивление в открытом состоянии при /.„„=35 мА, Г=-60...+70° С, не более: при i7 =2,5В для КР1014КТ1А, КР1014КТ1В...........................„................10 Ом при 1/,„,=4,5В для КР1014КТ1Б.......10 Ом Пределмые экеялуятяцнояныс данные Управляющее напрение: КР1014КТ1А, КР1Ш4КТ1В.....................3,5 В КР1014КТ1Б...............................................5,5 В Напряжение затвор-сток в закрытом состоянии: КР1014КТ1А-КР1014КТ1В.....................75 В КР1014КТ1В при /=50 Гц, Q=2, t=5 мин......................................................230 В Коммутируемый ток.................................ПО мА Рассеиваемая мощность...........................0,15 Вт Температура окружающей среды...............................................-60...-1-70° С Примечания: 1. Допустимое значение статического потенциала 500 В. 2. Температура пайки +235° С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки не более 5 с. ищ. В 45 О
/yi, «X»""А Вш, Он 15 10 5
-60 -10 го 60 100т,ч Зависимости порогового напряжения транзисторного ключа микросхемы от температуры окружающей среды. Заштрихованы области разброса параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости -60 -го 20 60 100Т,С Зависимость входного тока утечки от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость -60 -20 20 ВО iooiz Зависимость сопротивления открытого ключа от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость 10" tola 10 10
г 3 4 гз„, в Зависимости коммутируемого тока микросхемами от напряжения затвор-исток. Заштрихованы области разбросов значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости
о 200 W0 6№ Btuc, Ом Зависимости времени включения и выключения от вносимого сопротивления открытым ключом (сопротивления участка исток-сток). Заштрихованы области разбросов значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости Дополнительная литература Геллер В. И., Лагунова Е. В., Политанский Л. Ф. Высоковольтный токовый ключ КР1014КТ1 с низким остаточным сопротивлением Электрон-ная промышленность.- 1986.- Вьш. 2 (150).- С. 7-9. 2.20. Микросхема серии КР1017 КР1017ХА1 Микросхема представляет собой многофункциональный преобразователь, состоящий из усилителя, детектора, компаратора с большим гистерезисом, стабилизатора напряжения и системы положительной нелинейной обратной связи. Выполнена на биполярных транзисторах с изоляцией диэлектриком. Мощный парафазный выход позволяет обеспечить согласование микросхемы с другими узлами аппаратуры, например с логическими элементами ДТЛ,- ТТЛ, МОП, светоизлучающими диодами. Встроенный стабилизатор напряжения питания имеет дополнительный выход. Предназначена для применения в бесконтактных датчиках положения, выдающих информацию о координате объекта при перемещении его относительно чувствительного элемента датчика (бесконтактные системы электронного зажигания) в виде дискретного бинарного электрического сигнала, а. также в качестве генератора прямоугольных напряжений, триггерас регулируемым гистерезисом (в промышленных роботах, полуавтоматах металлообработки, электрических швейных машинах). Корпус типа 2102.14-1. Масса не более 1,5 г. ZWZ. П-1 12 3 4 5 6 7 19,5 KPiomAi Н 13 12 11 10 9 В KFW17XA1 11118 0 ... 96 97 98 99 100 101 102 ... 125 |