Вход

Зап.

BlfBN

Вых В

-JLTL

Вхов

подупирушто =t

тпряжеиия

3 ЛП-

Выход

Вход

wdjfj!apy№B(eeo 1 напряжения

Принципиальные схемы модуляторов на микросхеме КР1006ВИ1:

а-широтно-импульсного; б-фазово-импульсного

Дополнительная литература

1. Пецюх е., Казарец А. Интегральный таймер КР1006ВИ1 Радио.-1986.-№ 7.-С. 57, 58.

2. Певницкий С. Цифровой измеритель ем-кости Радио.-1984.-№ 10.-С. 46, 48.

3. Помехоустойчивое фотореле Радио.- 1984.-№ П.-С. 58.

4. Простой преобразователь напряжение- частота Радио.-1985.-№ 2.-С. 61.

5. Шило В. Л. Функциональные аналоговые интегральиые микросхемы.- М.: Радио и связь, 1982.-128 с.

2.19. Микросхемы серии КР1014

КР1014КТ1А, КР1014КТ1Б, КР1014КТ1В

Микросхемы представляют собой ключи. Выполнены на МОП-транзисторах. Предназначены для коммутации электрических цепей.

Корпус типа 2101.8-1. Масса не более 1 г.

Назначение выводов: I, 8-управляющие входы; 4, 5-выходы; 2, 3, б, 7-входы.

Электрические параметры

Обратное напряжение (падение напряжения на канале ключа при инверсном включении) при Л„„ = 110 мА, Т= +60... +70° С, не более. 1 В Управляющий ток при (7,„р=5 В, Г=-60...

... +70° С, не более....................................1 мкА

Ток утечки на входе при 75 В, Т=

= -60... +55° С, не более:

КР1014КТ1А, КР1014КТ1Б..................20 мкА

КР1014КТ1В............................................10 мкА

Частота переключения при 1/у„р=5 В, £/.„„ = =75 В, /фр.у„р=250 НС, Л,„,„„.с=300 Ом, Г= = - 60... + 70° С, не более.....................100 кГц

ZW1. 8-1

Габаритный чертеж корпуса 2101.8-1

1,В о-

г.з,в,7

Принципиальная схема микросхемы КР1014КТ1

Время включения и выключения при f/ynp= = 5 В, 1/.„„=75В, гфр.упр=250 НС, Лв„.„ст.с= = 300 Ом, Г= -60... + 70° С, не более... 5 мкс Сопротивление в открытом состоянии при /.„„=35 мА, Г=-60...+70° С, не более:

при i7 =2,5В для КР1014КТ1А,

КР1014КТ1В...........................„................10 Ом

при 1/,„,=4,5В для КР1014КТ1Б.......10 Ом

Пределмые экеялуятяцнояныс данные

Управляющее напрение:

КР1014КТ1А, КР1Ш4КТ1В.....................3,5 В

КР1014КТ1Б...............................................5,5 В

Напряжение затвор-сток в закрытом состоянии:

КР1014КТ1А-КР1014КТ1В.....................75 В

КР1014КТ1В при /=50 Гц, Q=2,

t=5 мин......................................................230 В

Коммутируемый ток.................................ПО мА

Рассеиваемая мощность...........................0,15 Вт

Температура окружающей

среды...............................................-60...-1-70° С

Примечания: 1. Допустимое значение статического потенциала 500 В.

2. Температура пайки +235° С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки не более 5 с.

ищ. В

45 О

/yi, «X»""А

Вш, Он

15 10 5

-60 -10 го 60 100т,ч

Зависимости порогового напряжения транзисторного ключа микросхемы от температуры окружающей среды. Заштрихованы области разброса параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

-60 -го 20 60 100Т,С

Зависимость входного тока утечки от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

-60 -20 20 ВО iooiz

Зависимость сопротивления открытого ключа от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

10"

tola

10 10

г 3 4 гз„, в

Зависимости коммутируемого тока микросхемами от напряжения затвор-исток. Заштрихованы области разбросов значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

о 200 W0 6№ Btuc, Ом

Зависимости времени включения и выключения от вносимого сопротивления открытым ключом (сопротивления участка исток-сток). Заштрихованы области разбросов значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

Дополнительная литература

Геллер В. И., Лагунова Е. В., Политанский Л. Ф.

Высоковольтный токовый ключ КР1014КТ1 с низким остаточным сопротивлением Электрон-ная промышленность.- 1986.- Вьш. 2 (150).- С. 7-9.

2.20. Микросхема серии КР1017 КР1017ХА1

Микросхема представляет собой многофункциональный преобразователь, состоящий из усилителя, детектора, компаратора с большим гистерезисом, стабилизатора напряжения и системы положительной нелинейной обратной связи. Выполнена на биполярных транзисторах с изоляцией диэлектриком. Мощный парафазный выход позволяет обеспечить согласование микросхемы с другими узлами аппаратуры, например с логическими элементами ДТЛ,- ТТЛ, МОП, светоизлучающими диодами. Встроенный стабилизатор напряжения питания имеет дополнительный выход. Предназначена для применения в бесконтактных датчиках положения, выдающих информацию о координате объекта при перемещении его относительно чувствительного элемента датчика (бесконтактные системы электронного зажигания) в виде дискретного бинарного электрического сигнала, а. также в качестве генератора прямоугольных напряжений, триггерас регулируемым гистерезисом (в промышленных роботах, полуавтоматах металлообработки, электрических швейных машинах).

Корпус типа 2102.14-1. Масса не более 1,5 г.

ZWZ. П-1

12 3 4 5 6 7

19,5

KPiomAi

Н 13 12 11 10 9 В

KFW17XA1

11118