типовое значение................................100 МГц

Коэффициент преобразования при U„=20 В, Ио2)= =/?ос(3)=0, Т= +25° С, типовое значение 2 В/рад Полное выходное сопротивление при С/„=20 В, /о = 1 кГц, /„ = 1 кГц, Г=+25°С, типовое значение :......................................................6 кОм

Операционный усилитель

Коэффициент усиления по напряжению при разомкнутой ООС, С/„=20 В, /.,,=300 Гц, Г= +25" С, не менее...................................66 дБ

типовое значение......................................80 дБ

Полное входное сопротивление при [/„=20 В, /„=300 Гц, Г= +25° С, не менее.........0,4 МОм

типовое значение...................................2 МОм

Полное выходное сопротивление при [/„=20 В,

/, = 300 Гц, Т= +25° С, типовое значение..........

.......................................................................2 кОм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания

однополярное.......................................6...30 В

двуполярное.................................. +3... +15 В

Максимально допустимое напряжение (размах) входного сигнала на выводах J и 7, не более 3 В Напряжение смещения на выводах 5-7 при

[/„=20 В...................................................4... 16 В

Постоянное напряжение при U„=20 В:

Eia выводах / и 2..................................4... 18 В

на выводах 23 и 24...............................9... 18 В

Минимально допустимое сопротивление нагрузки, не менее............................................... 10 кОм

Температура окружающей среды -10... +55° С

* .3

т VTS

R9 9к

?R3r\ п/г* п 5оо\ уда у,

\И6 И7

сз

¥716

К15 500

(йф)юо%

А МГц

(uf/f)-1DD%

5 9 13 17 ZI Z5V„,d

-25 О 25 50Т,С-

Зависимость относительной нестабильности частоты от напряжения питания. Заштрихована область разброса значе[1ий параметра для 95% микросхем

Зависимость максимальной рабочей частоты от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость относительной Eie-стабильности частоты от температуры окружаюшей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплопшой линией показана типовая зависимость

KF100SXA8(A,E)

г 3 4 5678910 zof,m

Зависимость амплитуды выходного напряжения от частоты при С/ц=20 В. Заштрихована область разброса значений .параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

10" 10

10 10

0-4-8 -П -16 Ощ, 8

Зависимости частоты перестройки от управляюцдего напряжения:

/-выводы /J и 16 заземлены через резистор сопротивлением ГкОм; 2-выводы 15 и /б не л

подключены

1 10 Ю 10 10* ЮЦаФ

Зависимость рабочей частоты ГУН от емкости частотозадающего конденсатора:

/-цифровое управление выключено; 2- упрашжиие включено

18 IS

IZ IB 8

/пот,

100 80 60 iO 20 0 -20

6 9 12 IS 18 21 2i 27U„,B

Зависимость тока потребления от напряжения питания. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

О -10

-ZD-10 О 10 20 30 10Т,Ч

Зависимость тока потребления от температуры окружающей средьь Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Лпр.ПРИ»

-80-70-60 -50 -10 -30 -20Ц,т

Зависимости выходного напряжения перемножителя сигналов от уровня входного напряжения при 1/„= ± 10 В,/„= 110 кГц, /„„=100 кГц

/Фд, В/ра0

20 IS 10 5

ЮЮЮЧОЮ 10 1,Гц

Зависимость коэффициента усиления напряжения ОУ микросхемы от частоты

-100 -120

Зависимость коэффициеггга преобразования перемножителя сигналов от уровня опорного напряжения при С/„= + 10В, /.„.= 10 кГц, [/,= 10мВ

Схемы включения

Зависимость выходного напряжения перемножителя сигналов от уровня входного напряжения при 1/„= + 10В, 17„„=0,ЗВ, . /,=25 МГц, /„„=30 МГц

0.1 1 10 10 Uh.MB

Зависимость коэффициента передачи фазового детектора от входного напряжения

Принципиальная схема «генератора функций» на микросхеме КР1005ХА8 (А, Б) [33]

Ю ЗОн

-Р С6 Oil

г-li-

Выход ГУН -». ллл.

X 07 510

г* аггг/го » ю /7 к wn и

КР1005ХА8(А.Б) I г 3 h S 6 7 в 9 10 11 п

лллл

C4",D.1

" 82 ЗОк

s.1K

R75,1K

~~~СВ

Хв.1 твдзвз 14,

*0п

т КД503

, Кб 10к