ffoTK, On

-to-20 0 20 W SOlC

Зависимость времени включения ключей от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

8 12 1,НА

Зависимость сопротивления открытого ключа от коммутируемого тока. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

-16 -12 -В -Ч

коп, I

Зависимости сопротивления открытого ключа от коммутируемого напряжения при t/ix=4B, l/«=D,8B,. /,о„ = 1 мА и различных значениях напряжения питания:

У-(7„,=9В, (7„2=-9В; 2-(7„, = 12В, (7„,= = -12 В; J-l/„, = 13,5B, (7„2=-13,5 В; -1/„,= = 16,5 В, (7„2=-16.5В

-16 -12 -8 -Ч О 4 8 Um„,e

Зависимости сопротивления открытого -ключа от коммутируемого напряжения при U„,= = 13,5 в, 17„2=-13,5В, Т/».=4В, [/,=0,8 В, Дом = 1 мА и различных значениях температуры окружающей среды

К590Нт(А.Б) НР590КН8(А,Б)

1 •>-

le о-

-off

-о.Я

-о 12

-о 13

К590КН8А, К590КН8Б, КР590КН8А, КР590КН8Б

Микросхемы представляют собой четырехканальные аналоговые ключи с повышенным быстродействием (однополюсное включение) для коммутации напряжения -10...+10 В.

Назначение выводов: 1 - 1-й сток; 2-Подложка; 3-1-й затвор; 4-1-й исток; 5-2-й

исток; 6-2-й затвор; 7, 10, 15-свободные; 5-2-й сток; 9-3-й сток; -3-й затвор; 12-3-й исток; 13-4-й исток; 14-4-й затвор; 16-4-й сток.

Электрнческие параметры

Номинальное напряжение питания ...... +12 В

Пороговое напряжение при /с=0,01 мА, Г=+25°.С:

К590КН8А, КР590КН8А..................0,1 ...2 В

К590КН8Б, КР590КН8Б ..................0,5 ...2 В

Ток утечки стока при С/с=20 В, [/„одл=-5В,

С/з=-5В для К590КН8А, КР590КН8А и С/с=30В, С/„=0, [/3=0 для К590КН8Б, КР590КН8Б, не более: К590КН8А, КР590КН8А:

Г=+25°С .............................................50 нА

7-=+70° С ...........................................100 иА

Г=+85°С ........................................... 400 нА

К590КН8Б, КР590КН8Б:

Г=+25°С ............................................. 10 иА

Г=+70°С .............................................70 иА

Г=+85°С ...........................................100 нА

Ток утечки истока при [/и=20 В, 1/подп=-5В, С/з=-5В для К590КН8А, КР590КН8А, не более:

Г=+25°С .............................................50 нА

Г=+70°С ...........................................100 иА

Г=+85°С........................................... 400нА

Ток утечки затвора при С/3=30 В для К590КН8А, КР590КН8А и С/3=20 В для К590КН8Б, КР590КН8Б, Г=+25°С, не

более ........................................................0,5 мкА

Сопротивление сток-исток при С/3=5 В, /с=10мА, не более:

при Т=+25 и -45° С .......................70 Ом

при Г=Г„,з,............................................100 Ом

Сопротивление сток-исток при С/з=10В,

/с=10мА, 7=+25С°, не более ..........45 Ом

Входная емкость при Uq-10 Ъ, С/з=С/„одл = = -15 В для КР590КН8А, КР590КН8Б, не

более ..............................................................5 пФ

Проходная емкость при С/с =10 В, С/з=С/„одл = = -15 В для КР590КН84, КР590КН8Б, не

более..........................................................1,5 пФ

Выходная емкость при С/с=10В, С/з=С/подл = = -15 В для КР590КН8А, КР590КН8Б, не более ..............................................................8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение сток-исток:

К590КН8А, КР590КН8А..................... +20 В

К590КН8Б, КР59()КН8Б................... 0...30 В

Напряжение сток-подложка:

К590КН8А, КР590КН8А ..................0...25В

К590КН8Б, КР590КН8Б ...................0...30В

Зависимость сопротивления открытого канала транзисторов микросхем от температуры окру-" жающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Напряжение исток-подложка:

К590КН8А, КР590КН8А ...................0...25 В

К590КН8Б, КР590КН8Б ...............0...25В

Напряжение затвор-исток:

К590КН8А, КР590КН8А ..................... +25 В

К590КН8Б, КР590КН8Б ...................0...20В

Напряжение затвор-сток:

К590КН8А, КР590КН8А ..................... +25 В

К590КН8Б, КР590КН8Б ...................0...20В

Напряжение затвор-подложка:

К590КН8А, КР590КН8А..................0...30В

К590КН8Б, КР590КН8Б ...................0...20В

Ток стока ...................................................50 мА

Рассеиваемая мощность •:

при Г= -45... +40° С .............................1 Вт

при Г=+85° С ....................................0,59 Вт

Температура окружающей среды:

К590КН8А, К590КН8Б ...........-45 ...+85° С

КР590КН8А, КР590КН8Б ..... -45...+70° С

Примечания: 1. Время включения для каждого транзистора не превьппает 3 не, типовое значение времени выключения составляет 12 нс при С/з„„„=5В, С/с„„дл=5В, С„=10пФ.

2. Запрещается подача каких-либо электрических сигналов на выводы микросхемы, не используемью согласно принципиальной электрической схеме.

3. Потенциал на любомиз выводов микросхем должен быть равным или более положительным по отношению к потенциалу на выводе 2.

4. Необходимо учитывать, что подложка К590КН8А, К590КН8Б электрически соединена с корпусом микросхемы.

-60 -го 20 во WOT,с

Kisme

Схема включения микросхем К590КН8 (А, Б), КР590КН8 (А, Б) с ТТЛ-микросхемами

KSSDKhSA, КР530ША т.

Ч-пвдя -10 -5 О

Зависимость порогового напряжения затвор- исток транзисторов микросхем от напряжения исток--подложка. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

0.8 0,6 0,1

-ВО-го го бо юот.с

Зависимость порогового напряжения затвор-исток транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

K530Kh6Lm9omt

SSSSSSSSSS

о го ко 60 sovc

Зависимость тока утечки истока транзисторов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типова$5. зависимость