между выводами / и 52 КР572ПВ2 (А-В) и 24 и 9 К572ПВ2 (А-В) находится в интервале 2, 4...3,2 В.

При другом значении / емкость конденсатора Cs определяется по формуле

С5=0,45

Для повышения стабильности может быть использован кварцевый резонатор, подключаемый между выводами 38 {22) и 40 {23); при этом элементы R3 и С5 ие используются.

При работе от внешнего тактового генератора тактовые импульсы следует подавать на вывод 40 {23), а выводы 38 {21) и 39 {22) не используются.

7. Запрещается подача электрических сигналов на выводы микросхемы при вьпслюченных источниках питания.

8. Недопустимо попадание внешнего электрического потенциала на крышку корпуса. Допустимое значение статического потенциала не более ЗОВ.

Схема включения

llOT<,l

, нкА

н57гш(А-в), mnmiifi-d)

BDT.t

Зависимость тока потребления от температуры окружающей среды

4W„p, et.c4.

-20 О 20 10 ВО Т,Ъ

Зависимость погрешности преобразования от температуры окружающей среды

Типовая схема включения микросхем КР572ПВ2 (А -В) и К572ПВ2 (А -В). В скобках указана нумерация выводов для К572ПВ2 (А-В)

Дополнительная литература

1. Агрнч Ю. В., Алдерс М. Р., Иванов Б. Н..

Аналого-цифровой преобразователь КР572ПВ2 Электронная промышленность.-1983.-

Вып. 4.--С. 52, 53.

2. Иванов Б. Н. Расширение возможности применения аналого-цифрового преобразователя КР572ПВ2 Электронная промышленность.- 1984.-Вып. I.-С. 52, 53.

З.Ануфриев Л. Мультиметр на БИС Радио.-1986.-№ 4.-С. 34-39.

4. Хомеиков Н., Зверев А. Цифровой термометр Радио. ~-1985.-№ 1.-С. 17, 48.

2.14. Микросхемы серий К574 и КР574

Серии К574 и КР574-комплект быстродействующих операционных усилителей, предназначенных для применения в различной радиоэлектронной аппаратуре. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов диэлектриком и содержат во входном каскаде дифференциальную пару полевых транзисторов.

В состав серий входят:

К574УД1А, К574УД1Б, К574УД1В, КР574УД1А, КР574УД1Б, КР5741 ДУВ--быстродействующие операционные усилители; К574УД2А, К574УД2Б, КР574УД2А, КР574УД2Б-двухканальные быстродействующие операционные усилители.

К574УД1А, К574УД1Б, К574УД1В, КР574УД1А, КР574УД1Б, КР574УД1В

Микросхемы представляют собой быстродействующие операционные усилители. Выполнены на биполярных и полевых транзисторах с изоляцией элементов диэлектриком.

Корпус микросхем КР574УД1 (А-В) типа

• 301.8-2

2101.8-1, К574УД1 (А-В)-типа 301.8-2. Масса микросхем в корпусе 2101.8-1 не более 1 г, в корпусе 301.8-2-не более 1,5 г.

21018-1 1.5

0.53

А Ж Ж

ключа

HS7mi(A-B), mimi(A-B)

BmoOi*)

В скобках указана нумерация выводов для корпуса 2101.8-1

Назначение выводов:

в корпусе 301.8-2: /-корпус; 2, б-баланс; 3-вход инвертирующий (-); 4-вход неинвертирующий (-(-); 5-питание { - U„); 7-выход; питание { + UJ;

в корпусе 2101.8-1: 1, 5-баланс; 2-вход инвертирующий (-); 3-вход неинвертирующий (+); 4-питание (-1/„); б-выход; 7- питание {+U„).

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания....... ± 15 В

Ток потребления при (/„=+15 В, не более: при Г=+25...+70" С:

К574УД1 А, КР574УД1А..................... 10 мА

К574УД1Б, К574УД1В, КР574УД1Б,

КР574УД1В .............................................8мА

при Г=-45"С:

К574УД1А, КР574УД1А..................... 15 мА

К574УД1Б, К574УД1В. КР574УД1Б.

КР574УД1В ........................................... И мА

Максимальное выходное напряжение при (/„ = = ±15 В, (/„=100... 150 мВ. Л„>2кОм для КР574 и Л„>10кОм для К574. Г=-45...

+ 70" С. не менее.........................................10 В

Напряжение смещения нуля при (/„=±15 В, Л„>10кОм. 7=+25" С, не более: К574УД1А. К574УД1Б, КР574УД1А,

КР574УД1Б ...........................................50 мВ

К574УД1В, КР574УД1В....................100 мВ

Входной ток при (/„=±15 В, Г=±25"С, не более:

К574УД1А. К574УД1Б, КР574УД1А,

КР574УД1Б ..........................................0,5 нА

К.74УД1В. КР574УД1В.........................1 иА

Разность входных токов при (/„ = ± 15 В, Г= = ±25" С, не более:

К574УД1А, К574УД1Б. КР574УД1А,

КР574УД1Б ..........................................0,2 нА

К574УД1В, КР574УД1В......................0,4 нА

коэффициент усиления напряжения при (/„= = ±15 В, (/„„=±5 В, Л,,>10кОм, не менее: при Г=+25"С:

К574УД1А, КР574УД1А.......................2-10*

К574УД1Б. К574УД1В. КР574УД1Б,

КР574УД1В ............................................5 10*

при 7=-45 и +70" С;

К574УД1А, КР574УД1А..........................10*

К574УД1Б, К574УД1В. КР574УД1Б,

КР574УД1В ............................................210*

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при (/„=±15 В, (/„ф „ = 5 В, 7"=

= +25° С, не менее......................."............60 дБ

Скорость нарастания выходного напряжения при (/„=±15 В, 7=+25С, не

менее .....................................................,50 В/мкс

Частота единичного усиления при (/„=±15 В, Г= +25° С, не менее.............................10 МГц

Предельные эксплуатацнонные данные

Напряжение питания............... ±13,5... ±16,5 В

Входное дифференциальное напряжение .. 10 В

Синфазное входное напряжение.............. ±5 В

Сопротивление нагрузки........................10 кОм

Температура окружающей

среды ............................................. -45...+70° С

Примечания: 1. Допустимое значение статического потенциала 200 В.

2. Максимальная емкость нагрузки 50 пФ.

3. Разрешается питание микросхем от источников с несимметричными напряжениями или от одного источника при условии 12 В(/„ + +1 -(/„130 В. ПриЭТОМ не допускается заземление вывода микросхем в корпусе 301.8-2.

4. При эксплуатации микросхем допускается как одновременная подача напряжения питания, так и в следующей послодоватсльности: отрицательное напряжение питания, положительное напряжение питания. Шины питания должны быть соединены с общей точкой питания через диоды так, чтобы не допускалось изменение полярности напряжения на шинах.

4, и А

-ВО -гв гв ео toor.c

Зависимость входного тока от температуры окружающей среды. Заштрихована область раз-6pt)ca значений параметра для 95% микросхем

иг но

10 By, к Oh

Зависимость максимального выходного напряжения от сопротивления нагрузки