Электропроводка в частном доме



Как выбрать мебель для кабинета?



Как выбрать корпусную мебель?



Как применяется модульная мебель?



Как правильно размещать розетки?



Чем популярна стеклянная мебель?



Мебельные светильники
Перейти на главную Журналы

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [68] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125

КР198НТ1А, КР198НТ1Б, КР198НТ2А, КР198НТ2Б, КР198НТЗА, КР198НТЗБ, КР198НТ4А, КР198НТ4Б

Микросхемы представляют собой матрицы Пр-п транзисторов. Различаются числом транзисторов, входящих в состав матрицы: KP198HTI содержит пять транзисторов КР198НТ2, КР198НТЗ-четыре; КР198НТ4- три.

Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

201 П-1

0,5(11)выввво8)

J3-1.5

ЩШШ li

J LU Ш III

15 \

КРШНТКА.Б) и 13 12 П 10 9 S


12 3 4 3 8 1

ттп(А,Б)

14 13 П 11 10


1 2 3 4 5 S

т98НТЗ(А,Е)

12 11 10 3 в


1 2 3 4 5 6 7 14 13 11 0 3


Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к=ЗмА, /б=0,5мА, Г=+25°С, не более .....................................................................IB

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к=ЗмА, /б=0,5мА, Г=+25°С, не

более ..............................................................0,7 В

Обратный ток коллектора при С/кб=6 В, Г»

= +25° С, не более................................0,04 мкА

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кз»=3 В, /j-=0,5 мА, Г-+25° С: КР198НТ1А, КР198НТ2А, КР198НТЗА,

КР198НТ4А ..........................................20 ...125

КР198НТ1Б, КР198НТ2Б, КР198НТЗБ, КР198НТ4Б........................................... 60 ...250



Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах KPI98HT1A, КР198НТ1Б,

КР198НТ2А, КР198НТ2Б, не более............. 15%

Разброс прямых напряжений база-эмиттер дифференциальной пары в микросхемах KPI98HTIA, KPI98HT2A, не более............4 мВ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база... 15 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер................................................................... 15 В

Обратное напряжение коллектор - эмиттер ...................................................................15 В

Обратное напряжение база- эмиттер..........4 В

Постоянный ток коллектора...................... 10 мА

Постоянный ток коллсктора в режиме насыщения................................................................30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Г=-45... + 85" С:

одним транзистором.............................20 мВт

матрицей..............................................100 мВт

Температура окружающей

среды .............................................. -45...+85° С

ms8mM,/<fmmiA.e) шшм,ттте}

Ц5 0.1

0,1 0,05 0,01

0,01

-го о го W во sovc

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость


m98/in(A.s),iifmm(A.5)


го io во soic

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при Уб=0,7мА, 7 = = 3 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

1.Z 1.0

0.8 0.8

иптт1(А.Б),т98отБ) тшШ1кРшт(А,Б)

о о,г ц* 0,8 0,8 1б, на

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы при /к = 3 мА


ISh, мА

Is, пкА

гю гоо

80 W

Н8тИТ1(А.Б

ктитш

0,3 0,1 0,5 0,6 0,1 Ig,, В

Зависимости напряжения насыще- Зависимости тока базы тран-ния коллектор-эмиттер транзис- зисторов, входящих в состав торов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при /б=0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

микросхем, база-

от напряжения -эмиттер

твткщ нетитз(л,щ 1<гтитш,в)

к, пА

10 жш*/,и3;

6 1 г

O.dsha

-BfitSi

О 3 в 9 П 150/0,8

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем



ID 8 В

нртнт1Б,т98Ш

ГГ7(

А у?

77/,

-60-40 о 25 60Т,С

Зависимость разности прямых

напряжений база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды при 1/3= =0,5 мА, Г=+25"С. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

"21.

110 ВО 70 50 3D

-40 О 49 8DT,Z

"in

200 160 120 80 40

КР19Ш2(А,В) НВШТЗ(А.В)

о 2 4 { 8 Ц,пА

Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при и-ЪЪ. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость


Зависимость статического-коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

-25 О 25 50 75 lOOTZ

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микр1>схем, от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95%1 микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

12 10 8 6 4

нп98ищцртт

-40 О 40 80Т,С

Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры 01фужаю-щей среды

1/т 0,5

0.4 0.3

с, в

ттш Щ

10 20 40 ВОЦ.мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхемы КР198НТЗА, от тока эмиттера. Заштрихована область разброса значений параметров, для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

КР198НТ5А, КР198НТ5Б, КР198НТ6А, КР198НТ6Б, КР198НТ7А, КР198НТ7Б, КР198НТ8А, КР198НТ8Б

Микросхемы представляют собой матрицы р-п-р транзисторов. Различаются числом транзисторов, входящих в состав матрицы. Микросхемы КР198НТ5А, КР198НТ5Б содержат 5 .транзисторов р-п-р\ КР198НТ6А, КР198НТ6Б, КР198НТ7А, КР198НТ7Б-4; КР198НТ8А, КР198НТ8Б-3.

Корпус типа 201.14-1 (см. КР198НТ1-КР198НТ4). Масса не более 1,2 г.

КР19т5(А,Б) 14 и 12 If 10 S 8 .


1 г 3 I, 5 6




0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 [68] 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125