КР198НТ1А, КР198НТ1Б, КР198НТ2А, КР198НТ2Б, КР198НТЗА, КР198НТЗБ, КР198НТ4А, КР198НТ4Б

Микросхемы представляют собой матрицы Пр-п транзисторов. Различаются числом транзисторов, входящих в состав матрицы: KP198HTI содержит пять транзисторов КР198НТ2, КР198НТЗ-четыре; КР198НТ4- три.

Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

201 П-1

0,5(11)выввво8)

J3-1.5

КРШНТКА.Б) и 13 12 П 10 9 S

12 3 4 3 8 1

ттп(А,Б)

14 13 П 11 10

1 2 3 4 5 S

т98НТЗ(А,Е)

12 11 10 3 в

1 2 3 4 5 6 7 14 13 11 0 3

Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер при /к=ЗмА, /б=0,5мА, Г=+25°С, не более .....................................................................IB

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при /к=ЗмА, /б=0,5мА, Г=+25°С, не

более ..............................................................0,7 В

Обратный ток коллектора при С/кб=6 В, Г»

= +25° С, не более................................0,04 мкА

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при 1/кз»=3 В, /j-=0,5 мА, Г-+25° С: КР198НТ1А, КР198НТ2А, КР198НТЗА,

КР198НТ4А ..........................................20 ...125

КР198НТ1Б, КР198НТ2Б, КР198НТЗБ, КР198НТ4Б........................................... 60 ...250

Разброс значений статического коэффициента передачи тока дифференциальной пары в микросхемах KPI98HT1A, КР198НТ1Б,

КР198НТ2А, КР198НТ2Б, не более............. 15%

Разброс прямых напряжений база-эмиттер дифференциальной пары в микросхемах KPI98HTIA, KPI98HT2A, не более............4 мВ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база... 15 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер................................................................... 15 В

Обратное напряжение коллектор - эмиттер ...................................................................15 В

Обратное напряжение база- эмиттер..........4 В

Постоянный ток коллектора...................... 10 мА

Постоянный ток коллсктора в режиме насыщения................................................................30 мА

Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей среды Г=-45... + 85" С:

одним транзистором.............................20 мВт

матрицей..............................................100 мВт

Температура окружающей

среды .............................................. -45...+85° С

ms8mM,/<fmmiA.e) шшм,ттте}

Ц5 0.1

0,1 0,05 0,01

0,01

-го о го W во sovc

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

m98/in(A.s),iifmm(A.5)

го io во soic

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при Уб=0,7мА, 7 = = 3 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошными линиями показаны типовые зависимости

1.Z 1.0

0.8 0.8

о о,г ц* 0,8 0,8 1б, на

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока базы при /к = 3 мА

ISh, мА

Is, пкА

гю гоо

80 W

0,3 0,1 0,5 0,6 0,1 Ig,, В

Зависимости напряжения насыще- Зависимости тока базы тран-ния коллектор-эмиттер транзис- зисторов, входящих в состав торов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при /б=0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

микросхем, база-

от напряжения -эмиттер

твткщ нетитз(л,щ 1<гтитш,в)

к, пА

10 жш*/,и3;

6 1 г

O.dsha

-BfitSi

О 3 в 9 П 150/0,8

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем

ID 8 В

-60-40 о 25 60Т,С

Зависимость разности прямых

напряжений база-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем (дифференциальной пары), от температуры окружающей среды при 1/3= =0,5 мА, Г=+25"С. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

"21.

110 ВО 70 50 3D

-40 О 49 8DT,Z

"in

200 160 120 80 40

о 2 4 { 8 Ц,пА

Зависимости коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при и-ЪЪ. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимость статического-коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды

-25 О 25 50 75 lOOTZ

Зависимости обратного тока коллектора транзисторов, входящих в состав микр1>схем, от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95%1 микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

12 10 8 6 4

-40 О 40 80Т,С

Зависимости разности статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры 01фужаю-щей среды

1/т 0,5

0.4 0.3

с, в

10 20 40 ВОЦ.мА

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхемы КР198НТЗА, от тока эмиттера. Заштрихована область разброса значений параметров, для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

КР198НТ5А, КР198НТ5Б, КР198НТ6А, КР198НТ6Б, КР198НТ7А, КР198НТ7Б, КР198НТ8А, КР198НТ8Б

Микросхемы представляют собой матрицы р-п-р транзисторов. Различаются числом транзисторов, входящих в состав матрицы. Микросхемы КР198НТ5А, КР198НТ5Б содержат 5 .транзисторов р-п-р\ КР198НТ6А, КР198НТ6Б, КР198НТ7А, КР198НТ7Б-4; КР198НТ8А, КР198НТ8Б-3.

Корпус типа 201.14-1 (см. КР198НТ1-КР198НТ4). Масса не более 1,2 г.

КР19т5(А,Б) 14 и 12 If 10 S 8 .

1 г 3 I, 5 6