Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 60 61 62 63 64 65 66 ... 125 13,0 12,0
S 6 U„B 7 Зависимости коэффициента усиления напряжения от напряжения питания на частоте /=1 МГц при различных значениях температуры. окружающей среды
30 45 f, МГц Зависимость входной емкости от частоты при f/„=6,3 В, Т= +25° С Схема включения 010,1 ~Квз 05 0,15 5...50 Типовая схема включения микросхемы К175УВ1 (А, Б) Дополнительная литература 1. Микросхемы и их применение. Справочное пособие/В. А, Батушев, В. Г. Ковалев, О. Н. Лебедев и др.- 2-е изд., перераб. и доп.-М.: Радио и связь, 1983.-272 с. 2. [8, с. 122, 123]. К175УВ2А, К175УВ2Б Микросхемы представляют собой дифференциальный усилительный каскад со стабилизацией режима и двумя вспомогательны1ш тран-зистора1ии, на которых возможно построение входных или выходных эмиттерных повторителей. Предназначены для применения в бытовой радиоэлектронной аппаратуре. Корпус типа 401.14-4 (см. К175ДА]). Масса не более 1 г. Ю75УВ2(А,Б) В1 В,Вк R2 1,7и VT1 Г- B3fr-V: BiiDfiA R73H 6 0 0 1 г 7 13 6 о 6 S т г< 4 е IZ 11 9 10 Назначение выводов: I-питание (-£/„); 2- делитель цепей смещения; 3-вход 1; 4-выход I, 5 - выход 2; 6-вход 2; 7-делитель цепей смещения; 8-питание (+Г/„); 9-база 2-го вспомогательного транзистора; 10-эмиттер 2-го вспомогательного транзистора; И - Э1йиттер 1-го вспомогательного транзистора; 12-база 1-го вспомогательного транзистора; 13-вход регулировки усиления; 14-фильтр. Электрические параметры Но1шнальное напряжение питания ........... 6 В Ток потребления при U„„=Q, не более: при 1/„=6В, Г=+25°С ..................... ЗмА при [/„=6,6 В, Г=-25°С ................... 4мА Напряжение на выводах 4 к 5 при 1/„=6 В, f/.x=0, Г=+25°С ........................... 3,6 ...5,2 В Напряжение на выводах 10 к И при 1/„=6 В, [/„=0, Г=+25°С ........................... 2,1 ...2,4 В Крутизна при С/„=6 В, /=20 МГц, f/„=10 мВ, 7=+25° С, не менее .......................... 10 мА/В Нестабильность крутизны при [/„=6 В, /= = 20 МГц, £/„=10 мВ в диапазоне температур, не более: + 25...+85° С ....................................... -50% . -25...+25° С .......................,............... +30% Коэффициент шума при 1/„=6 В, /=20 МГц, Л„=1кОм, С„=5пФ, 7=+25° С, не более ............................................................. 6 дБ Верхняя граничная частота при l/„=6 В, 1/„= = 10 мВ, Л„=1кОм, С„ = 5пФ,.7=+25°С, не менее: К175УВ2А ........................................... 50 МГц К175УВ2Б ........................................... 65 МГц Глубина регулировки усиления при l/„=6 В, 1/„=20 мВ, Г= +25° С, не менее: при /= 1 МГц ........................................ 60 дБ при /= 10 МГц ...................................... 40 дБ Коэффициент ослабления синфазного сигнала прн 1/п=6В, Г=+25°С, не менее ..... 60 дБ Входное сопротивление при t/„=6 В, /= = 100 МГц, Г=+25°С, не менее ....... 1 кОм Предельные эксплуатационные данные Максимальное напряжение питания ...... 6,6 В Максимальное входное напряжение ..... +2 В Максимальное синфазное входное напряжение ............................................................... ±ЗВ Максимальное напряжение на выводах 4 и S ...................................................................... 9В Максимальный ток коллектора дополнительных транзисторов ............................................... 2 мА Максимальное обратное напряжение база- эмиттер дополнительных транзисторов ... 3 В Максимальная рассеиваемая мощность одним дополнительным транзистором при Г= = +85° С .................................................. 10 мВт 1т, мА
to" S, мА/В
50 /,ПГц Зависимости крутизны преобразования 9т частоты входного сигнала при 1/„=6 В и различных значениях температуры окружающей среды Схемы включения 75 \П сг. в.Г ГГ»-Ч СЗ 0.1 п 11 шз \nioo .С5 0,1 100 тГи 10" 10 10 10
Типовая схема дифференциального усилителя на микросхеме К175УВ2 (А, Б) S, мА/В
5 6 Off В 7 Зависимости тока потребления от напряжения питания при различных значениях температуры окружающей среды г и,,в Зависимости выходного напряжения от напряжения АРУ при 1/„=6В, 7=+25° С и различных значениях частоты входного сигнала 5 го 35 50 f, МГц Зависимости крутизны преобразования от частоты входного сигнала, при 7=+25° С и различных значениях напряжения питания CI. 0.1- JT0.1 s щ 10 .Вход C60.1 *U„ ттГп Типовая схема каскодного усилителя на микросхеме К175УВ2 (А, Б) Дополнительная литература Микросхемы и их применение: Справочное пособие/В, А. Батушев, В. Н. Вениаминов, В. Г. Ковалев и др,- 2-е изд., перераб. и доп.- М.: Радио и связь. 1983.-272 с. К175УВЗА, К175УВЗБ Микросхемы представляют собой двухкас-кадный широкополосный усилитель с одним вспомогательным транзистором и малой потребляемой мощностью. Предназначены для применения в бытовой радиоэлектронной аппаратуре различного назначения. Корпус типа 401.14-4 (см. К175ДА1). Масса не более 1 г. Назначение выводов: /-общий, питание (~[/„);2-фильтр; S-промежуточный вывод; 6-выход; 7-внутренний нагрузочный резистор; «-питание (-(-t/„); 9-элшттер вспомогательного транзистора; 10-база вспомогательного транзистора; 11, 12-обратная связь; 13- вход. Электрические паметры Номинальное напряжение питания..............б В Ток потребления при [/„=6 В, [/„ = 1 мВ, ие более: при 7=+25° С..........................................2мА при Г=-25°С.......................................2,5 мА Крутизна при [/„=6 В,/=1 МГц, [/„ = 1 мВ, не менее: К175УВЗА............................................ЗООмА/В К175УВЗБ...........................................SOOmA/B Нестабильность крутизны в диапазоне температур, не более: Г-+25 ...+85° С....................................-50% Г--25...+25° С....................................+30% Верхняя граничная частота при t/„-6 В, f„- -ТмВ, Г+гбС, не менее.................ЗМГц Коэффициент шума при С/„-б В, /-1,6 МГц, Г- + 25° С, не более....................................8 дБ Входное сопротивление при С/„>«б В,/-1 МГц, Г-+25° С, не менее............................0,75 кОм Входная емкость при t/„-6B, /-1 МГц, Г--+25° С, ие более....................................50 пФ Предельные эксплуатационные данные Максимальное напряжение питания..........б,бБ Максимальное входное напряжение.............2 В Максимальное напряжение иа выводе б...9В Максимальный ток коллектора дополнительного транзистора.................................................ЗВ Максимальная рассеиваемая мощность дополнительным транзистором при Г=+85С...................................................10 мВт Температура окружающей среды...............................................-25...+85» С
и„В 7 Зависимости тока потребления от напряжения питания при С/„-0 и различных значениях температуры окружающей. среды 0 ... 60 61 62 63 64 65 66 ... 125 |