Скорость нарастания выходного напряжения

Крутизна преобразования

Фазовый сдвнг

Коэффициент объединения по входу

Коэффициент разветвления по выходу

Крутизна проходной характеристики

Нестабильность крутизны проходной характеристики

Относительная нес" 5иль-ноеть частоты геньрирова-ния (длительности импульсов выходного напряжения)

Прочие параметры

Скорость изменения выходного напряжения интегральной микросхемы при воздействии импульса максимального входного напряжения прямоуголыой формы Отношение выходного тока смесителя к вызвввшшу его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина

Разность между фазами выходного к входаого сипш-

лов интегральной микросхемы

Число входов интегральной микросхемы, по которым

Сизуется логическая функция ю единичных нирузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегралыой микросхемы. (Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем)

Отношение выходного тока t вызвавшему его входному напряжению в зади1ном электрическом режиме Отношение изменения крутизны проходной ха актерис-тики от воздействия дестабилизирующего- фактора к крутизне проходной характеристики до воздействия этого фактора

Отношение изменения частоты генерирования (длительности импульсов выходного напряжения) к вызвавшему его изменению окружающей температуры

у=цифровые индексы соответствующих входов

и выходов, равные О, 1, 2.....; и число входов

и выходов.

Ниже приводится перечень специальных производных параметров, используемых в настоящем справочнике.

Условные обозиачсния электрических параметров

1/кэ - - напряжение коллектор-эмиттер /кэо- постоянное напряжение коллектор - эмиттер при токе базы, равном нулю

кэ,1и»«-" максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер t/кв-Постоянное напряжение коллект(-база /кв.пик-максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база t/эв--постоянное напряжение эмиттер - база ДС/эв-падение напряжения иа участке база-эмиттер

Дэвова-разность падений напряжений иа участках база-эмиттер транзисторов дифференциальной пары

/эв.1«в«-максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер--база

£/си-напряжение сток-исток

t/jH-напряжение затвор-исток

£/ин-напряжение исток-подложка

/си, max-максимально допустимое напряжение сток-исток

зи,т»« максимально допустимое напряжение затвор-исток

дзетах-максимально допустимое напряжение затвор-сток

l/en, max "максимально допустимое напряжение сток-подложка

tHn.mei максимально допустимое напряжение исток -подложка

tan, mix-максимально допустимое напряжение затвор-подложка

t/,-постоянное напряжение на -м выводе интегральной микросхемы

Д£/,~ изменение постоянного напряжения на /-М выводе интегральной микросхемы при изме-

нении управляющих сигналов в заданных пределах

Двых.и-изменение выходного напряжения между выводами / и j интефальной микросхемы при изменении управляющих сигналов в заданных пределах

f/„„-опорное напряжение

Ut„,o,x.i-входное напряжение импульса обратного хода на i-м выводе интегральной микросхемы

иъа.ич-выходное напряжение низкой частоты многофункциональной интегральной микросхемы

Um-амплитудно-модулированное напряжение сигнала

tl.maK-максимально допустимое напряжение на 1-м выводе интегральной микросхемы

tl.b.x.cipe.u.ed)-амплитуда напряжения выходного сгробирующего импульса цветовой синхронизации на /-М выводе интегральной микросхемы

tlwx.ctpHi-выходное напряжение строчного сиихроимпульса на /-м выводе интегральной микросхемы

+ £/„-напряжение положительного источника питания

-t/„-напряжение отрицательного источника питания

At/„-падение напряжения на регулирующем транзисторе положительного плеча стабилизатора напряжения

ир,311ш.я"Прямое напряжение защитного диода

Д1/7-падение напряжения на регулирующем транзисторе отрицательного плеча стабилизатора напряжения

t/„i-напряжение переноса заряда

упр-" управляющее напряжение

и„-напряжение стабилизации

tOTii-напряжение отпускания

/к-постоянный ток коллектора

/э-постоянный ток эмиттера

/ц-постоянный ток базы

к.нас-постоянный ТОК коллсктора в режиме насыщения

4. нас-постоянный ТОК базы в режиме насыщения

допустимый допустимый

постоян-

постоян-

к, шах- максимально ный ток коллектора

э, max-максимально ный ток эмиттера

б. max-максимально ный ток базы

1с. шах-максимально ный ток стока

/(-постоянный ток по j-му выводу. интегральной микросхемы

допустимый постоян-допустимый постоян-

/(.твх-максимально допустимый постоянный ток по 1-му выводу интегральной микросхемы

/,.А-амплитудное значение переменного тока по 1-му выводу интегральной микросхемы

1„-ток стабилизации

Аых.ст.ном-номинальный выходной ток стабилизатора

ДАых.с!-изменение выходного тока стабилизатора

-входной ток высокого уровня /S,-входной ток низкого уровня /вых-выходной ток высокого уровня /?ых-выходной ток низкого уровня IoT-ток потребления в состоянии высокого уровня

/Sot-ток потребления в состоянии низкого уровня

/iwt(+)-ток потребления от источника положительного напряжения

/яо1(~)-ток потребления от источника отрицательного напряжения

/ут.мш.д-ток утечки защитного диода

/-частота

/f-частота генерирования

/ф-длительность фронта

ср-длительность среза

отрв-длительность стробирующего импульса

fo.x-время обратного хода

Т-температура окружающей среды

Г,-температура корпуса

Г„~температура р-п перехода

Ткр-температура кристалла

С„~-входная емкость

емкость источника сигнала Z„-комплексное (полное) входное сопро-тиаление

Z„-комплексное (полное) сопротивление нагрузки

т-индекс модуляции сигнала

Фо--начальная фаза сигнала

Дф-изменение (девиация) фазы сигнала

А/ул-полоса частот удержания

1.4. Общие сведения о корпусах микросхем

Интегральные микросхемы выпускаются в корпусах и бескорпусном варианте. Корпус обеспечивает:

защиту элементов ИМС от влияния внешней среды;

нормальную работу ИМС в течение гарантированного срока службы;

надежное механическое и электрическое соединения платы или кристалла с другими элементами электронного блока;

необходимую электрическую связь между элементами схемы и выводами;

отвод теплоты от кристалла ИМС, обеспечивающий требуемый тепловой режим ее функ-щюнирования.

В настоящее время наибольшее распространение получили четыре вида конструктивно-технологического исполнения корпусов ИМС:

металлостеклянный корпус имеет металлическую крышку и стеклянное (или металлическое) основание с изолящ!ей и креплением выводов стеклом, крышка присоединяется к основанию сваркой или пайкой;

металлокерамический корпус имеет металлическую крышку и керамическое основание, крышка соединяется с основанием при помощи сварки или пайки;

стеклокерамический корпус имеет керамическую крышку и основание, крышка соединяется с основанием пайкой стеклом;

пластмассовый корпус (наиболее дешевый) имеет пластмассовое тело определенной формы, полученное путем опрессовки кристалла и рамки выводов.

В соответствии с ГОСТ 17467-79 [4] корпуса ИМС делятся на пять типов и подтипов, основные классификационные признаки которых (форма проекции тела корпуса ИМС на плоскость основания и расположение выводов корпуса) указаны в табл. 1.3.

По габаритным и присоединительным размерам сходные по конструкции корпуса подразделяются на типоразмеры, каждому из которых присваивается шифр, состоящий из обозначения подтипа корпуса в соответствии с табл. 1.4 и двухзначного числа, обозначающего порядковый номдаэ типоразмера.

Условное обк 1ачение корпуса состоит из

шифра типоразмера корпуса (включающего подтип корпуса и двухзначное число, обозначающее порядковый номер типоразмера), цифр, указывающих число выводов, и порядкового регистрационного номера (номер модификации). Приведем пример условного обозначения прямоугольного корпуса подтипа 21 с порядковым номером 23, с 40 выводами, первой модификации (2123.40-1):

Шифр типоразмера 23 to 1

Номер модификации

Число выбодоб

Порядкобш номер типоразмера

Подтип корпуса

До введения ГОСТ 17467-79 действовал ГОСТ П461-12, который классифицировал корпуса только по четырем типам (1, 2, 3, 4). Условное обозначение корпусов состояло из шифра типоразмера корпуса (включающего тип корпуса и двухзначное число, обозначающее порядковый номер типоразмера), цифр, указывающих число выводов и номер модификации. Например, корпус 209.24-3-прямоугольный, типа 2, порядковый номер типоразмера 09, с 24 выводами, третьей модификации.

Конструкции корпусов микросхем с указанием их габаритно-присоединительных размеров приведены в составе данных по конкретным сериям ИМС.

Таблица 1.4