t/„=20B, t/.„,= 12B, Д[/„=+5В, 4=

=0,2 A, не более...................................0,03%/В

Коэффициент нестабильности по току при работе в режиме широтно-импульсной модуляции: при Г=+25°С:

[/„=20 В, [/.„,=5 В, /„=0,5 А, Д/„= =0,5 4.................................0,002...0,016%/А

[/„=40 В, [/.„,=30 В, /„=0,5 А, Д/„=

=0,5 /„. .................................. 0,001...0,003%/А

при т= -45° С:

[/„=20 В, [/.„,= 12 В, /„=0,2 А, А/„=

=0,5 /„. ................................... 0,05...0,09%/А

при Г=+85°С:

[/„=20 В, [/.„,= 12 В, /„=0,2 А, Д/„=

=0,5 /„, .....................................0,08...0,14%/А

Длительность фронта импульса выходного тока при [f„,=40B, /.„,=50 мА, /=100 кГц,

Г= -1-25° С, не более..............................0,2 мкс

Длительность среза импульса выходного тока при [/„,=40 В, /.„,=50 мА, /=100 кГц, Г= + 25° С, не более..............................0,2 мкс

Предельные экснлуатафижные данные

Входное коммутируемое напряжение.......40 В

Напряжение питания:

узла опорного напряжения..............10...40 В

узла порогового устройства................5...7 В

Амплитуда импульсов синхронизирующего напряжения ......................................................2...4 В

Выходной ток...........................................200 мА

Рассеиваемая мощность:

при р=6,7-10*-3-10 Н/м:

при r=-45...-t-55°C............................0,8 Вт

при Г=+85°С...................................0,55 Вт

при р=6,7 10 Н/м и r=-45...-t-

-t-85° С......................................................0,2 Вт

Частота коммутации..............................100 кГц

Температура окружающей среды -45...-(-85° С

При Г=--55...+85-С

изменяется линейно.

Примечания: 1. Не допускается контакт корпуса микросхемы с токопроводящими и заземленными элементами аппаратуры.

2. Разрешается производить монтаж микросхемы 2 раза, демонтаж 1 раз.

3. Не допускается отсутствие напряжения на выводе 5 при поданном напряжении ггатания порогового устройства и соединительных выводах 6 и 10; при этом напряжение на выводе 5 должно быть равно или больше напряжения на выводе 10, но не выше 40 В.

4. Запрещается подведение каких-либо электрических сигналов и в том числе шин «Питание», «Общий» к незадействованньт< выводам корпуса микросхемы.

5. Ток внешнего резистивного делителя не менее 1,5 мА.

6. Входное управляющее напряжение, прикладываемое между вьтодами 12-8 или 13- 8 микрюсхемы, не должно превьш1ать 2,8 В.

7. Допустимое значение статического потенциала 2 кВ.

™,fon

. %/в

R1, кОм

Выходные характеристики стабилизатора напряжения на микросхемах К142ЕП1 (А, Б) при температуре окружающей среды +85° С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем.

60 iO

1,15 ZI.hA -во -20 2J0 60 100Т,°С О 10.. 20 30 iOOn.B

Зависимость коэффициента нестабшьности опорного напряжения от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем.

Зависимость необходимого сопротивления резистора R1 от входного напряжения

0,995 0,99

0,975

О W го 30 iop„„B

Зависимость выходного напряжения на выводе 6 микросхем К142ЕП1 (А, Б) от входного при С/,ы1=40 В и Т= -1-45° С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем

Щш(б}/иьш.(Ш)

0,995 0,99

0,985 0,98

0,975

О 10 го 30 *ои„,.в

Зависимость выходного на-пряжеш!я на выводе б микросхем К142ЕН1 (А, Б) от входного при [/вы1=40 в и Г=--85°С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем

0,995

0,985

0,975

тгЕП1(А,Б)

♦ 6 81,мА

Зависимость напряжения на вьгаоде б микросхем К142ЕШ (А, Б) от тока нагрузки при 1/,ыж=0 и Т= +85° С. Заштрихована -область разброса значений параметров для 95% микросхем

0,97 0,9В

0,95

0,91)

Зависимость напряжения на выводе б микросхем К142ЕП1 (А, Б) от тока нагрузки при [/ =0 и Г=-45°С. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем

О Z Ч 6 BI.mA

Схемы включения П 1к

г-1 i- » «

/"U-\г 1,

ктоА

е я

7 to 8

КЗЮк

нон,6х

R6 1,5н

Общий

и Д233Г

Схема включения микросхем К142ЕП1 (А, Б) в состав стабилизатора напряжеш1я, работающего в режиме широтно-импульсной модулящ1и с внешней синхронизацией

Схема включения микросхем К142ЕП1 (А, Б) в состав устройств защиты для контроля напряжения .по верхнему и нижнему предельньа< значениям:

Л;>40кОм при t/„,2s20B; при t/„i<20B резистор не включается; Р-реле постоянного тока

Дополнительная яитература

Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы: Справочное пособие/С. В. Якубовский, Н.А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского.- 2-е изд., перераб. и, доп.-М.: Радио и связь, 1984.-с. 384, 385.

2.3. Микросхемы серий К143 и КР143

К143КТ1, КР143КТ1

Микросхемы представляют собой аналоговые 11ереключатели. Выполнены на основе МОП-транзисторов. Микросхемы КР143КТ1 предназначены для применения в серийной аппаратуре, К143КТ1 -только для экспериментальных работ.

Корпус КР143КТ1 типа 201.14-1, К143КТ1 типа 401.14-4. Масса микросхемы .в корпусе 201.14-1 не более 1,1 г, в корпусе 401.14-4 не более 0,4 г.

П выдоМ У

1вт-1

Назначение выводов: 2-выход 2; 4-вход 2; 5-вход. 1; 7-корпус; 8-выход 1; 9-питание (+Г/„2); 10-подложка; - 1-й вход управляющий; 12-2-я вход управляющий; 14- Питание- (-t/„i).

Электрические параметры Номинальное напряжение питания:

иг.......................................................-21,6 В

............................................................+5 В

Ток потребления от источника в закрытом состоянии при f/„i = -26,4 В, 1/„2 = 5,5В, f/sx.y.p=0,45 В, Г/„„„=5,5 В:

при г- + 85" с.............................1,2... 4,5 мА

при Гз: -45° С.............................1,2... 6,5 мА

Ток потребления от источника в открьггом состоянии щм [/„!= -26,4 В,, £/„2 = 5,5 В, £/„„„= = 5,5 Й:

при 7=+85° С................................0,3...2мА

при 7=-45° С................................0,3 ...ЗмА