Ki, %/А.

40 30

10"

А Га 10

0,1 0,0В 0,06 0,0Н

ИМЕН Б (А,Б)

Частотные характеристики коэффициента сглаживания пульсаций выходного напряжения отрицательного плеча стабилизаторов. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Hi, %/А

о,ог

-во -го

во 100Т,С

Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

-ВО -го го во тт.с

Ki, %/А Kj,

Зависимости коэффициента стабилизации по току от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

0,04 0,02

0,04 0,02

о 50 100 т Itut,»A

Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для положительного канала. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

О 5в 100 150 1ь,мА

Зависимость коэффициента стабилизации по току от тока нагрузки для отрицательного канала. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

50 100 т1ьш,"А

Зависимость минимального падения напряжения

положительного плеча от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

пя.лип

к МЕН в (А. Б)

о 50 100 150 1ьт,мА О 50 100 1501,мА

Зависимость минимального па- Зависимость минимального

дения напряжения положитель- падения напряжения отрица-

ного плеча стабилизаторов от тельного плеча стабилизато-

выходного тока. Заштрихована ров от выходного тока. За-

область разброса значений па- штрихована область разбро-

раметров для 95% микросхем, са значений параметров для

Сплошной линией обозначена 95% микросхем. Сплошной

типовая зависимость линией обозначена типовая

зависимость

ля, mill

mzEHB(e,r) ,(у

2,Sl--

2,1 2,5

О 50 100 mi,MA

Зависимость минимального падения напряжения отрицательного плеча стабилизаторов от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметров для 95% микросхем. Сплошной линией обозначена типовая зависимость

Схемы включения

a) 6)

Типовые схемы включения микросхем К142ЕН6 (А-Е):

о-С/ = С2=О=Св=0,01...15мкФ; О=С4=0,01 ...0.1 мкФ; 6-CI, С2 1 мкФ; С5, Сб>2 мкФ; CJ=C4=0,01 ...0,1 мкФ

«о

Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения. Диапазон регулировки ±15...+25 В для К142ЕН6 (А, Б, Д, Е) и ±15... ±20 В для К142ЕН6В, К142ЕН6Г:

о-С/ = С2=С5.= Г«=0,01...15м1!ф; CJ=C4=0,001 ...0,2 мкФ;6-Ь = С21 мк4>; С5=Св2мкФ; О=С-*=0,01 ...0,1 мкФ

сг

lAci

се

Принципиальные схемы регулируемых стабилизаторов напряжения на микросхемах К142ЕН6 (А-Е). Диапазон регулировки +5...+15 В: У

о-й6,8кОм; б-й=2...700кОм . .

Дополнительная литература

Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы: Справочное пособие/С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др.; Под ред. С. В. Якубовского.-2-е изд., перераб. и доп.- М.: Радио и связь, 1984.-384 с.

К142ЕН8А, К142ЕН8Б, К142ЕН8В, К142ЕН8Г, К142ЕН8Д, К142ЕН8Е, КР142ЕН8А, КР142ЕН8Б, КР142ЕН8В, КР142ЕН8Г, КР142ЕН8Д, КР142ЕН8Е

Микросхемы представляют собой стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением и защитой от перегрузок по току. Корпус микросхем К142ЕН8А-К142ЕН8Е

ктЕП8(А-Е), 1<РтЕН8(А-Е), mZEH9(A-E)

типа 4116.4-2 [см. К142ЕН5 (А-Г)], КР142ЕН8А-КР142ЕН8Е типа КТ-28-2 [см. КР142ЕН5 (А-Г)]. Микросхемы в металло-керамическом корпусе (4116.4-2) предназначены только для экспериментальных работ, в метал-лополимерном (КТ-28-2)-для применения в серийной аппаратуре.

Масса микросхем в корпусе 4116.4-2 не более 3 г, в корпусе КТ-28-2 не более 2,5 г.

Назначение выводов: 2-выход; 8-общий; 77-вход. i

Электрические параметры

Выходное напряжение при t/„=20B, = 10мА, Г=+25°С:

К142ЕН8А, КР142ЕН8А................9±0,27 В

К142ЕН8Б, КР142ЕН8Б...............12+0,36 В

К142ЕН8В, КР142Ш8В...............15+0,45 В

К142ЕН8Г, КР142ЕН8Г.................9+0,36 В

К142ЕН8Д, КР142ЕН8Д ..;...........12±0,48 В

К142ЕН8Е, КР142ЕН8Е.................15+0,6 В

Ток потребления при f„=35 В для К142ЕН8А-К142ЕН8В и Е/„=30 В для К142ЕН8Г-К142ЕН8Е, Г= +25" С, не

более.............................................................10 мА

Дрейф напряжения (за 500 ч) при 4„=0,5А, Г,= + 100°С, не более: при [/„=18,6 В для К142ЕН8А,

КР142ЕН8А......................................................1%

при [/„=21,6 В для К142ЕН8Б,

КР142ЕН8Б......................................................1%

при t/.,=24,5 В для К142ЕН8В,

КР142ЕН8В......................................................1%

при [/„=18,6 В для К142ЕН8Г,

КР142ЕН8Г....................:..............................1,5%

при [г ,=21,6В для К142ЕН8Д,

КР142ЕК8Д...................................................1,5%

яри [/„=24,5 В для К142ЕН8Е,

КР142ЕН8Е...................................................1,5%

Коэффициент нестабильности по напряжению при [f„=20 В, /,„,= 10 мА, не более: при Г=+25...85° С:

К142ЕН8А-К142ЕН8В, КР142ЕН8А-