-IS В

Вход сигнала „rt-твВттъ даннш ВхоВ сигнала Jaut-

Вхвд аналогового сигнала

Типовая схема включения микросхемы в униполярном режиме

р\вг V.SK

-*5В --15 в

R1 10

В34Лк -ШУ-

Схема регулировки смещения нуля в пределах + 3 МЗР (в биполярном режиме резистор R2 исключается; все резисторы должны иметь ТКС не более Ю-С")

Схема регулировки полной шкалы микросхемы

то по

В7 ПВ BS Bt

вз вг ш

сев. о

Гот. Г/Вр.

-*5В -15В

Схема смещения нуля в пределах +1/2 МЗР

2.27. Микросхема серии Kill4 К1114ЕУЗ

Многофункциональная микросхема представляет собой устройство управления импульсными источниками вторичного электропитания. Корпус типа 1102.9-5. Масса не более 5 г.

1£3=ГТ-1

функциональный состав: I-стабилизатор напряжения; II-формирователь опорного напряжения; /-усилитель обратной связи; 1У~ узел резервирования; У-ограничитель перегрузки; F/-формирователь тактовых импульсов;

11Вг.9-В

К =-триггер етарт-стоп; К /=-1Ход управления; /Дг-= формирователь пилообразного напряжения; ЛГ-триггер блокировки; усилитель выходного тока; л7/-узел заряда конденсатора связи; А7Я-выключатель базового тока.

Назначение выводов: 7-выход опорного напряжения; 2-вход для подключения внешнего генератора; i-вход обратной связи; 4-выход генератора пилообразного напряжения; 5- вход триггера защиты; б-общий; 7-вход выключателя выходного тока; S-выход усилителя вьподного тока; 9-вход напряжения питания.

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания...........10 В

Ток потребления:

при £/„==3 В, не более........................0,5 мЛ

при 1/„ = 5В.....................................1,5...2мА

при t/.= 10B.................................2,4...3,2мА

при IL = 10 Б, 1/„в„,= 1,9 Б..........14...26 мА

при 1/!=10Б,

=2,1...2,В..................................110...1бОмА

при t/„=10B, [/„sp,„= -

=2,5 ...2,5 В ............."!........................60...110МА

Опорное напряжение при t/r=±0,5B, /г = = 20 кГц, К=\:\: при Г«.+25°С: . ,t/ = t/..„, „„=0,2 мА и t/„= 10 В,/.„j„„-

>=5мА....................................................4...4,4 В

t/„ = 10 В, /,„ „ =0,2 мА................4... 4,5 В

при 7-=+70 и -10° С:

&„=12В, 1/„«„„=2,2В...................4...4,4 В

Нижний уровень пилообразного напряжения при ty„ = lOB, t/,= ±0,5B,/,=20кГц, А:,= 1:1,

не менее........................................................1,8 В

Размах пилообразного напряжения при

= 10 В, [/,= ±0,5 Б t/„sp.„=2,18B, Л=20кГц,

АГ,= 1:1, не менее.........................................1,2 В

Входное напряжение триггера защиты при £/„= = 10 В, t/,= ±0,5B,/:=20кГц, К,г=

= 1:1 .........................................................5,5...7В

Минимальное выходное напряжение при t/„=

= 10 В, 1/,-±0,5В, I/rtp™=2,6B, /,»20кГ

Размах выходного напряжения: при Г-+25° С:

Ьш 10 В, ±0,5 В,Л-20 кГц, /,-1:1, не менее ................................................................б В

10 В, t/f- ±0,5 В. 1 А, /,-20 кГц,

/(,-1:1, неменее........................................4,5 В

при Г-+70 и -ЛО" С:

12 В, t/,= ±0,5 В,Л=20 кГц, К,-\:\, не

менее ................................................................6 В

Выходное напряжение микросхемы при срабатывании защиты при £/ =10В, t/,= ±0,5B,

/,=20 кГц, К,= \Л ..............;...............1,3...1,8 В

Напряжение срабатывания при 1/ = 10 В, 17,= = ±0,5 В, /,=20 кГц, #:, = 1:1, ие более ... 1,6 В Напряжение отпускания при t/„=10B, t/,= = ±0,5 В, /,=20 кГц, #:,= 1:1, не более ... 2,7 В Температурный коэффициент опорного напряжения при 1/-=12В, 1/,= ±0,5В, 1/„5р,™= =2,2...2,бБ, /,=20 кГц, К=\Л, Г=-10... + 70° С, не более................................0,1%/"С

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания...........................7,5... 15 В

Напряжение включения..................11,3... 12,3 В

Напряжение обратной связи............1,9 ...2,9 В

Максимальный выходной ток микросхемы ...............................................................1 А

Максимальный выходной ток источника опорного напряжения..........................................5 мА

Максимальная рассеиваемая мощность ...........................................................2,5 Вт

Частота коммутации..............................100 кГц

Температура окружающей

среды.............................................-10...+70° С

Примечания: 1. Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса, радиус изгиба не менее 0,8 мм.

2. Пайка выводов осуществляется при температуре не более 235° С в течение не более 3 с. Перепайка микросхемы допускается 2 раза, демонтаж 1 раз.

ктшз

1,9 г г,1 г,г 2,з z,i и,(а,в

Зависимость длительности импульса от напряжения обратной связи

т CIS 7 , нтв ггв,в»вз

+L CIS VD11. VUn

кдггв

Типовая схема импульсного блока электропитания на микросхеме К1114ЕУЗ

2.28. Микросхемы серии К1118 К1118ПА1, КМ1118ПА1

Микросхемы представляют собой сверхбыстродействующие восьмиразрядные цифро-аналоговые преобразователи. Выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом.

Корпус К11 8ПА1 типа 201.16-8, КМ 1118ПА1 -типа 2103.16-4. Масса микросхем в корпусе 201.16-8 не более 1,7 г, в корпусе 2103.16-4 не более 2,5 г.

тз. JS-i

1.1

rni.

-1- f7,ff

Назначение выводов: 1 - вход 8-го разряда (младщего); 2-вход 7-го разряда; 3-вход 6-го разряда; 4-вход 5-го разряда; 5-вход 4-го разряда; б-вход 3-го разряда; 7-вход 2-го разряда; 8-вход 1-го разряда (старщего); 9-питание (-5,2 В); 70 - инвертирующий вход усилителя; 77 -коррекция усилителя; 12 -опорное напряжение (+10,56 В); 13-неиспользуемый вывод; 14-выход; 15-выход дополняющий; 76-общий.

ш ктв -W-