Схема включения

W 0,33

Гвиииие и

ттппг

vm М307

Типовая схема включения микросхемы КР1112ПП2 в системах экспономстрии

2.26. Микросхемы серии К1113

К1113ПВ1А, К1113ПВ1Б, К1113ПВ1В

Микросхемы представляют собой функционально законченные аналого-цифровые преобразователи на 10 двоичных разрядов. Выполняют функцию аналого-цифрового преобразования последовательного приближения. Выполнены на основе биполярной технологии ИЛ, WR и имеют выходные буферные каскады с тремя состояниями, что упрощает сопряжение с шинами данных.

Корпус типа 238.18-1. Масса не более 2,5 г.

238.18-1

Нтч- [У i i\

К1113ПВ1(А-в)

Функциональный состав: /-компаратор; -схема управления сдвигом нуля; Ill-m-разрядный ЦАП с токовым выходом; /И-тем-пературно-компенсированный источник опорно-, го напряжения; V-схема гашения и преобразования; К/-10-разрядный регистр последовательного приближения; t - схема формирования тактовой частоты; F /~-формирователь сигнала «Готовность данных», IX-тактовый генератор; А -выходное буферное устройство.

Назначение выводов: I-Р-й разряд; 2~8-й разряд; 3-7-й разряд; 4-6-й разряд; J-5-й разряд; б- 4-й разряд; 7-3-й разряд; в~2-й разряд; Р -1-й разряд; /О--питание (-l-f„i); -гашение и преобразование; 12-питание (-Uni); /i-аналоговый вход; /4-аналоговая общая шина; 15-управление сдвигом нуля; /6-цифровая общая шина; /7-готовность данных; /*-10-й разряд.

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания:

..................................................:...........5 в

t/„2 ..............:.......................................... -15 В

Ток потребления в режиме «Гашение» при 1У„1-+5В, t/„2=-15B, t/„i = llB, Vl= = 2,4 В, не более:

от первого источника.......................... 10 мА

от второго источника...........................20 мА

Ток потребления в режиме «Преобразование» при t/„i = +5 В, t/„2=-15 В, L.„ = ll В, t/J.= ==2,4 В, С/?.=0,4 В, /=50 Гц, Г» +25° С, типовое значение:

от первого источника............................. 4 мА

от второго источника...........................15 мА

Нелинейность при t/„, = +5B, t/„2 = -15B,

t/„=10B, t/;.=2,2B, U°,=0.4B:

К1113ПВ1А ................................. ±1 ед. МЗР

К1113ПВ1Б ................................. ±2ед. МЗР

КП13ПВ1В ................................. ±4сд. МЗР

Дифферсициальния ислиисйпость при (У„, =

= +5 В, („2 = -15В.. t/.,= 10B, i/;,=2,4B.

t/«,-0.4 В:

К1113ПВ1А ................................. ±1ед. МЗР

К1113ПВ1Б ................................. ±2сд. МЗР

К1113ПВ1В ................................. ±4ед. МЗР

Абсолютная погрешность преобразования в конечной точке и1калы в униполярном режиме при t/„, = +5B, и„г-\5В, t/,.= llB. t/,=

. = 2.4 В, t/.=0.4B......................... ±4ед. МЗР

Абсолютная погрешность преобразования в конечной точке шкалы в униполярном режиме при [/,„ = -1-5 В, t/„j=-.15B. t/„,2 = 5,5B. Ul =

= 2.4 В, 1/о,=-0.4 В......................... ±4 сд. МЗР

Напряжение смещения нуля на входе в. униполярном режиме при 1/„,к+5В, [/„2 =-15 В, t/.„=9,766±39,l В, [/,=2.4 В, [/«.=

=0.4 В .............................................. ±3ед. МЗР

Напряжение смещения нуля на входе в биполярном режиме при [/„i = -t-5B. t/„2=-15B, fy„.2 = 5.5B, ti,=2,4D. [/«,=

=0,4 В .............................................. ±3 ед. МЗР

Время преобразования при [/„,+5В, t/„2 = = -15В, [/„, = 11 В. .[/,=2,4В, [/J,=0,4B,

/=50 Гц, не более....................................30 мкс

Ток утечки разомкнутых разрядных выходов при [/п1 = +5В, £/„2 =-15 В, типовое значение ..........................................................10 мкА

Входной ток высокого уровня по выводу при напряжении высокого уровня типовое значение ...................................................... ±40 мкА

Входной ток низкого уровня по выводу при

напряжении низкого уровня, типовое значение ........................................................±40 мкА

Входное сопротивление в цепи аналогового входа, типовое значение........................ 10 кОм

Предельные эксплуатационные данные

Напряжение питания:

[/„, ................;................................. 4,75...5,25 В

[/„2 .......................................... -15,75 ...14,25 В

Входное напряжение:

биполярного режима...............-5,5...-1-5,5 В

униполярного режима........................ 0...И В

высокого уровня ни выводе .....2...4,5 В

низкого уровня на выводе ........0...0,4В

Выходное жшряжсниЁ на разрядных выходах: высокого уровня при токе 0,3 мА ... 2,4...5 В низкого уровня при токе 2,5 мА........0,4 В

Температура окружающей

срсды.............................................-10...-1-70° С

Примечания: 1. Допустимое значение статического потоициила не более 30 В.

2. В зависимости от необходимой точности номинала полной шкалы сопротивление резистора R выбирается от 5 до 50 Ом. При необходимости иметь шкалу 10,24 В сопротивление выбирается от 100 до 200 Ом.

3. Рекомендуется подавать на микросхему напряжения в следующей последовательности: потенциал общей пшны, напряжение питания [/„, = + 5 В, [/„2 = -15 В; напряжение на цифровые входы; входное иапряжение. Порядок сжатия напряжений должен быть обратным.

4. Для включения микросхемы в униполярном режиме необходимо вывод 15 соединить с выводом 16; в биполярном режиме вывод IS должен быть свободен.

5. Запрещается иодача электрических сигналов на выводы микрок.хсмы при выключенных источниках питания,

0,95 0,93 0,91

0,19

-го о го 40 6or,s

о,т о,т о,ш

-го о го 40 sore

о 20 40 SOT,0

Зависимость напряжения сме- Зависимость выходного иапря-щения нуля микросхемы от тем- жения низкого уровни от темпе-пературы окружающей среды ратуры окружающей среды

Зависимость выходного напряжения высокого уровня от температуры окружающей среды

1ш. "А

15,5

15,1

15,3

15,2

15,1 15

-20 О 20 10 еот,Е

Зависимость тока потребления от второго источника питания в режиме «Гашение» от температуры окружающей среды при t/„2 = = -15 В

Btx, нОн

1т 1

15,8 15,7 15,6 15,5 15,1 15,3

о 2J0 10. 60T,Z

Зависимость тока потребления рт второго источника питания в режиме «Преобразование» от температуры окружающей среды при t/„2=-15 В.

/пот. "А

1,1 1,3 1,2

1.1 1,0 3.9

-20 О 20 10 еог.с

Зависимость тока потребления от первого источника питания в режиме «Преобразование» от температуры окружающей среды при t/ni = 5 В

s.e о,г

8,8 8,1

-20 О го 10 soiz

1.9 1,8 1,7 1.3 1,5 Ы

-20 О 20 10 60 Т,С

Зависимость входного сопротивления от темпе- Зависимость тока потребления от первого пературы окружающей среды точника питания в режиме «Гашение» от

температуры окружающей среды при U„=5B

Временные диаграммы работы микросхемы

сигнала „Гашше-npioSpatoBa-

ВхоВ сигнала „ПтоВнвсть данных"

РазряВиые данные

Сброс выходов

преодразования 2 мне

Останов преобразования

Врет

Отсутствие Выходных уровней

Наличие во1Ховных уродней