Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 108 109 110 111 112 113 114 ... 125
Назначение выводов: I-вход 1-го ключа; 2-вход 2-го ключа; 3-вход 3-го ключа; 4-вход 4-го ключа; 5-вход 5-го ключа; 6- вход 6-го ключа; 7-вход 7-го ключа; 8-общий; 9-общий вывод диодов развязки; 10- выход 7-го ключа; -выход 6-го ключа; 12- выход 5-го ключа; 13-выход 4-го ключа; 14- выход 3-го ключа; 15-выход 2-го ключа; 16- выход 1-го ключа. Электрические параметры Входное напряжение при [/вых = 2 В, /еых= = 300 мА, не более: при Г=+25°С: К1109КТ21 ..............................................13 В К1109КТ22................................................3 В К1109КТ23................................................8 В К1109КТ24................................................2 В при T=+WC: К1109КТ21 ..............................................14 В К1109КТ22.............................................3,2 В К1109КТ23.............................................8,5 В К1109КТ24.............................................2,2 В при Г=-10 С: K1109KT2I ...........................................15,5 В К1109КТ22............................................3,5 В К1109КТ23..........................................9,5 В К1109КТ24.............................................2,4 В Выходное напряжение низкого уровня при /,, = = 350 мА, /°=0,5 мА, Г= +25° С, не более...... .........................................................................1,8 В Постоянное прямое напряжение защитного диода при /цр=350 мА, не более.........................2 В Ток утечки выхода высокого уровня при C.i,x= = 50 В, не более: при r=-l6...+25°C...........................50мкА при Т=+ЖС.................................... 200 мкА Входной ток при Г=-Ь25С, не более: при t/,° = 17 В для К1109КТ21 ..............1,2 мА при t/° = 3,8 В для К1109КТ22.............1,3 мА при (/0 = 5 В для К1109КТ23................0,5 мА при t/.° = 3,0 В для К1109КТ24.............2,4 мА Ток утечки защитного диода при С/„5р=50 В, не более: при Г= +25° с......................................50 мкА при Г=+70° С....................................100 мкА Входной ток высокого уровня управляющего напряжения при /вт=0,5 мА, Г=+70°С, не более...........................................................50 мкА Время задержки распространения при включении при /°=0,5 мА, 4i,x = 350 мА, Г=+25°С, не более.........................................................1 мкс Время задержки распространения при выключении при /,°,=0,5 мА, /,°ь„ = 350 мА, Т=+25° С, не более.........................................................1 мкс Входная емкость при t/,i,x=0, /= 10 МГц........... ........................................................12... 16...25пФ Предельные эксплуатацнонные данные Максимальное выходное напряжение одного ключа..............................................................50 В Максимальный коммутируемый ток одного ключа.......................................................... 500 мА 500 Ш 300
2.5 2 1,5 1
0 0,5 1 1,5 ZU,B гоо 300 mil.MA s io is 20 250,0 Вольт-амперная характеристика защитных диодов, входящих в состав микросхем. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплоишой линией показана типовая зависимость Зависимость выходного напряжения низкого уровня от тока нагрузки. Заштрихована область разброса.значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость входного тока от входного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Максимальный входной ток одного ключа........ ..............:........................................................25 мА Максимальная рассеиваемая мощность при Т== = +25° С: одного ключа.........................................0,75 Вт микросхемы.............................................1,5 Вт Температура окружающей среды -10...+70° С Примечание. Входной ток практически не зависит от температуры окружающей среды в диапазоне -10... + 70° С. It,, пА 1.25 1 0,75 0,5 0,25 1.25 1 0,75 0.5 0,25
1 г 3 4Ul,B г ♦ в 8U,B
1 г э iul,B Зависимость входного тока от входного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость входного тока от входного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость входного тока от входного напряжения. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость /jT, пкА по т 1т,8ащ.д , тА -20 О 20 40 ВОТ,С -20 О 20 40 ВОТ,£ fi№, mne/ffss, fflos (St) 0,8 0.7 0.6
0 20 40 60 BOVC Зависимость тока утечки по выходу при высоком уровне выходного напряжения от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость тока утечки защитных диодов микросхем от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности от температуры окружающей среды К1109КТ61, К1109КТ62, К1109КТ63, К1109КТ64, К1109КТ65 Микросхемы представляют собой восьмика-нальныс ключи. Выполнены на биполярных транзисторах с изоляцией р-п переходом. Предназначены для управления мощными нагрузками. Каждая микросхема обеспечивает сопряжение с определенными типами маломощных биполярных и МОП-микросхем. . Принципиальные схемы микросхем К1109КТ63, К1109КТ64 и 1<:1109КТб5 идентичны, отличие состоит в сопротивлении резистора RI. Корпус типа 2104.18-4. Масса не более 2 г. Ш9Ш1 ктзшг
Назначение выводов: 1 --вход 1-го ключа: 2-вход 2-го ключа; 3 - вход 3-го ключа; 4- вход 4-го ключа: J - вход 5-го ключа; б-вход 6-го ключа: 7 - вход 7-го ключа; А- вход 8-го ключа; 9 общий; 10 - общий вывод диодов развязки; выход 8-го ключа; /2-выход 7-го ключа; 13-выход 6-го ключа; 14-выход 5-го ключа; 15 - выход 4-io ключа; 16 - выход 3-го ключа; /7-выход 2-го ключа; 18-выход 1-го ключа. Электрические параметры Входное напряжение при 7=+25С, не более: K1I09KT62..................................................13 В KI109KT63....................................................3 В К1109КТ64....................................................8 В K1I09KT65....................................................2 В msmi ктнт, шшв5 Входной ток при 7=+25" С, не более: К1109КТ62..............................................1,2 мА К1109КТ63..............................................1,3 мА К1109КТ64..............................................0,5 мА К1109КТ65..............................................2,4 мА Ток утечки защитного диода при Т= +25" С, не более...........................................................50 мкА Время задержки распространения при включении и выключении при Т= +25" С, не более...... ........................................................................1 мкс Коэффициент усиления по току при Т= +25" С, ие менее..........................................................1000 Предельные эксплуатационные данные Максимальное коммутируемое напряжение 50 В Максимальный коммутируемый ток...... 500 мА Максимальный входной ток......................25 мА Максимальная рассеиваемая мощность: одного ключа.............................................1 Вт микросхемы...........................................1,75 Вт Температура окружающей среды -10...+70" С 0 ... 108 109 110 111 112 113 114 ... 125 |