Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 107 108 109 110 111 112 113 ... 125 01 0,01 238.16-3 (0...10B) Шч -ISO 3600
Oi •0,1 Схема включения микросхем К1108ПП1 и КР1108ПП1 в режиме преобразования напряжения в частоту в диапазоне 100 и 500 кГц
Дополнительная литература Дергачевский В. Б., Кобзарь С. И., Су- дьин С. Л. Преобразователь напряжение-частота ~ напряжение КР 1108ПП1 Электронная промышленность.-1984.--Л9 б (134).--С. 23. 2.24. Микросхемы серии К1109 Микросхемы серии К1109-комплект семи-и восьмиканальных ключей для управления приборами отображения информации. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах. В состав серии входят: К1109КТ2, K1I09KT21, К1109КТ22, К1109КТ23, К1109КТ24 семиканальные ключи; К1109кТб2, КИ09КТ63, К1109КТ65-восьмиканальные К1109КТ61; К1109КТ64, ключи. К1109КТ2 Микросхема представляет собой семиканаль-ный ключ. Выполнена иа основе биполярных транзисторов с изоляцией р-п переходом. Предназначена для управления светоизлучающими диодами, нахальными индикаторами и другими мощными нагрузками. Корпус типа 238.16-3. Масса не более 1,3 г. Назначение выводов: 1-вход 1-го ключа; ,2-вход 2-го ключа; 3-вход 3-го ключа; 4- Ключ
вход 4-го ключа; J-вход 5-го ключа; б--вход. 6-го ключа; 7-вход 7-го ключа; в-общий; Р-общий вывод диодов развязки; /О-выход 7-го ключа; выход 6-го ключа; /2-шход 5-го ключа; /5-выход 4-го ключа; /4-выход 3-го ключа; /5-выход 2-го ключа; /б-выход 1-го ключа. Электрические параметры Выходное напряжение низкого уровня при = 350 мА, /0 = 500 мкА, Тш +25° С, не более .... .......i................................................................1,8 В Постоянное прямое напряжение защитного диода при /пр.„щ,д=350 мА, Т= +25° С, не более ... ........................................................................2,2B Коэффициент усиления тока при (/,, = 2,5 В, C«=350 мА, НС менее: при 7=+25..,+70"С............................... 1000 при Т=-Ш С.............................................500 Ток утечки высокого уровня при t/,i„ = 50 В, не более: при Т- -10... +25 С...........................50 мкА при Г= +70" С.................................... 200 мкА Входной ток высокого уровня при /„„,=0,5 мА, Г= + 70 С, не более.................................35 мкА Ток утечки защитного диода при U„np = 50 В, не более...........................................................50 мкА Время задержки распространения при включении при С = 350 мА, /в° = 500 мкА, Г= +25 не более......................................................... 1 мке Время задержки распространения при выключении при /„°ь„ = 350 мА, Т= +25 С не более....... ........................................................................1 мкс Предельная частота коммутируемого сигнала ... ......................................................................50 кГц Входная емкость при (/«,!, = 0. /=10 МГц: не менее..................................................... 12 пФ не более....................................................25 пФ типовое зничсние.....................................16 иФ Предельные эксплуатаииониые данные Выходное напряжение........,..........................50 В Коммутируемый ток................................. 350 мА Импульсный коммутируемый ток при /„<100 мкс, е»10 ..................................... 540 мА Входной ток.................................................25 мА Отрицательный входной ток.....................50 мА Прямой ток защитного диода................. 500 мА Рассеиваемая мощность при 7=+25"С: одного ключа.........................................0,75 Вт микросхемы.............................................1,5 Вт Примечания: 1. Максимально допустимая импульсная мощность одного ключа 1 Вт, всей микросхемы 2 Вт. 2. При использовании индуктивной нагрузки для защиты ключа .от возникающих выбросов напряжения вывод 9 должен присоединяться к ключевому выводу коммутируемого источника, питающего нагрузку. о 0,5 1 bs ги,в Вольт-ампернпя хирактеристики защитных диодов, входящих в состав микросхемы. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микроехем. Сплошной линией показана типовая зависимость /ут, МЦ, А > "Л /(i, -20 . О iO SBV Зависимость тока утечки защитного диода от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость -го О гв io вот,% Зависимость входного тока при высоком уровне ваддно-го напряжения от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
0 m zoo m hA Зависимость выходного напряжений низкого уровня от выходного тока нагрузки. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость Рfit, пю/lot, ffiox fMC) Зависимость коэффициента усиления по току УПТ микросхемы от выходного тока. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость -10 О го ко ООГ.С Зависимость тока утечки по входу при высоком уровне напряжения иа выходе от температуры окружающей среды. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость
\т К1 т till ni HI г 1J< -о и 3 >-SO- , -oft 1 -о И I -оа о го 40 so да г, "С Зависимость максимальной рассеиваемой микросхемой мощности от температуры окружающей среды К1109КТ21, К1109КТ22, К1109КТ23, К1109КТ24 Микросхемы представляют собой семика-нвльный ключ. Выполнены на биполярных транзисторах е изоляцией р-п переходом, Предназначены для управления мощными нагрузками. Каждая микросхема обеспечивает сопряжение с определенными типами маломощных и биполярных МПО-микросхем. Принципиальные схемы микросхем КИ09КТ22, КП09КТ2Э и К1109КТ24 идентичны, отличие состоит в сопротивлении резистора RL Корпус типа 238.16-3 (ем. K1I09KT2), Масса не более 1,5 г. i е- Ш9нт, шзнпз, msfim ♦ е-ве-Se- -О а ---------- sft в» 0 ... 107 108 109 110 111 112 113 ... 125 |