Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 106 107 108 109 110 111 112 ... 125 > Но I т Ш8ПП1, кртвпт паю 6 . 9 9 р у --07 2BUH US (ft еимои) rfi rtl ГП ГП rti ftl lj 4> LP MJ di 1S,S Электрические параметры Номинальные нынряжения литания: t/„i...........................................................+1S В U.I...........................................................-IS В Ток потребления от положительного и отрицательного источников питиния при (У„1-15,75 В. t/nj" 15.75 В, [/в,=0,1 В, не более: при f=+25" С..........................................6 мА при Г--10 и +70С..............................7мА Напряжение смешения нуля на входе при С/„,» * 14.25 В, 1/„з--15,75 В. /."„«"вВ мА: при Г«+25- С....................................... ±4мВ при Г= -10 и +70" С...........................±8 мВ Выходное напряжение низкого уровня при L/„, = 14,25 В. {/„3=-14,25 В, 8 мА, Г- -10... + 70 С, «е более.........................0,4 В Входной ток смещении нуля по неинвертирую-щему входу при l/„i« 14,25 В, [/„а--15,75 В, /«N«"8 мА, не более: при Г-+25 ...+70" С...........................150 нА при Г--10" С......................................гвОиА Входной ток смещения нули по инвертирующему входу при 1/„1-14,25 В. t/„j--15,75 В, /.1,«8 мА: при г-+25...+70" с..........................±60 нА при Г--10" С................................... ±100 НА Нелинейность АЦП в диапазоне 10 кГц при L/„,-14,25 В, 1/„2--14.25 В. /,,-8 мА, не более: при Г-+25" С..........................................10-* при Г--10 и +70" С......................1,75-Ю"* Нелинейность ЦАП в диапазоне 10 кГц при t/„,-14.25 В, t/„2--14,25 В. t/.,-l В, t/.",- » -1 В. не более; при Тш +25" С..........................................10-* при Г" -10 и +70" С......................1,75 10-* Абсолютная погрешность преобразования АЦП в конечной точке шкалы при C/ni» 14,25 В, t/„j--14,25 В, t/..-10 В, /.е,.«8 мА, Г---10...+70" С......................................... ±10% Предельные эксплуатаииониые данные Напряжение питания: t/„,.............................................. 14,25 ...15,75 В t/„j......................................-15,75...-14,28 В Входное напряжение: низкого уровня............................ -3... -0,9 В высокого уровня.................................0,9 ...3 В Выходное напряжение высокого уровня.............. ..............................................................2,4 ...15,75 В Выходной ток низкого уровня по частотному выходу......................................................2 ...8 мА Выходной ток по аналоговому выходу............... ................................................................0...0,5 мА Температура окружающей среды -10...+70° С Примечания: 1. Допустимое значение статического потенциала 100 В. 2. Абсолютная погрешность преобразования может быть уменьшена путем изменения сопротивления резистора RI. 3. Согласование уровней компарирования в режиме ЦАП с различными логическими уровнями может быть достигнуто путем подачи смещения на вход 9 или 10 микросхемы. Согласование выходных логических уровней с логическими уровнями нагрузки достигается .выбором необходимого напряжения питания выходного транзистора (вывод 7) и его нагрузки. 4. Наличие схемы со свободным коллектором и возможность бланкирования по входу (вывод б) позволяют объединить несколько преобразователей, работающих в режиме АЦП, ни одну нагрузку. Для этого ни входы (вывод б) всех микросхем, кроме одной, должен быть подан цифровой сигнал высокого уровня (f/,,). Выходной каскад запирается при t/,,>2,4 В и отпирается при L,°<0,4 В, Предельные значения напряжения бланкирования U„2VmU„i. 5. Запрещается подключение к выводам микросхемы, не задействованным в схемах включения. Запрещается подача электрических сигналов на выводы микросхемы при выключенных источниках питания. Порядок подачи питающих напряжений: U„2< fni. в». порядок снятия напряжений-обратный. Допускается одновременное включение и выключение напряжений. 6. Рекомендуется использовать микросхемы на частотах входных и выходных сигналов, не Превышающих 500 кГц. • 7. При проверке целостности цепей РЭА с вмонтированными микросхемами напряжения, подаваемые на любые выводы, не должны превышать 0.5 В, ток -I мА. 8. Ультразвуковая очистки выводов не допускается.
в IB li l*U,„U,i,B
•гв о го 40 евт.с Зависимости токов потреб- Зависимость входного тока сме-ления от напряжений источ- щения нуля по неинвертирую-НИКОВ питания щему входу от температуры окружающей среды S Ю 12 l4U,,.U„i,B Зависимость входного тока смещения нуля по инвертирующему входу от напряжений источников питания Зависимость входного тока смещения нуля по инвертирующему н.чоду от температуры окружающей среды Нш,*10 -го о 20 40 eoT,z Зависимость нелинейности ЦАП в диапазоне 10 кГц от тока нагрузки 125 100 75 50 25
о 0,5 1 1,5 2I,tiA 335 -го о го io вот,Ч Схемы включения Зависимость абсолютной погрешности преобразования АЦП в конечной точке шкалы от температуры окружающей среды. Зависимость выходного напряжения низкого уровня от темпера- 250 туры окружающей среды -20
о 20 40 ВО Г, "С Схема включения микросхем К1108ПП1 и КР1108ПП1 в режиме преобразования частоты в напряжение (а) и эпюры входного напряжения (б):
*t5B Схема включения KPil08nni в реж1 тельного напряж! Микросхем К1108ПП1 и еобразования положи-... 10 В) в частоту в диапазоне (0... 10 кГц) -t5B CJ П 3S0B (О..ПОВ) *t$B *SB ffffg Схема включения микроехем К1108ПП1 и КР1108ПП1 в режиме преобразования отрицательного напряжения (0...-10 В) в частоту в диапазоне (О... 10 кГц) 0 ... 106 107 108 109 110 111 112 ... 125 |