Главная
Форум
Статьи
Материалы
Приборы
Конструирование
Слаботочка
Хобби
Конструкции
Здания
Банька
Атлас
Металл
Лист
Санустройство
|
Перейти на главную » Журналы 0 ... 102 103 104 105 106 107 108 ... 125 НИИ 1ыполием в диффузионном слое глубокого коллектора, общее сопротивление делителя 100... 150 Ом, Корпус К1107ПВЗА, К1107ПВЗБ типа 201.16-13, КМ1107ПВЗА, КМ1107ПВЗБ тапа 2103,16-4. Масса микросхемы корпусе 201.16-13 не более 1,7 г, в корпусе 2103.16-4-не более 2,5 г, 2103. IB-t Кт7ПВ5(А,Б), КНт7ПВЗ(А,Б) III 111 11,5 0,12 (10 дыВоВов) Ключ 201.1В-13 ,,2
ВшеВ нет -0W ->«• Назначение выводов: 1-аналогошая общая шина; 2-опорное напряжение (t/oni); 3-аналоговый вход; опорное напряжение ([/„„г); 5-контроль гистерезиса {[/„«); б-вход тактирования; 7-питание (+t/„i); 8-питание Гвтвйш ешвл (-t/nj); Р-выход 1 (младший разряд); 10- выход 2; и - выход 3; /2-выход 4; 13-выход 5; 14-1Ыход 6 (старший разряд); 15- выход 7 (переполнение); М-цифровая общая шина. Электрические параметры Номинальное напряжение питания: t/ni...........................................................5 в .......................................................... -5,2 В Ток потреблеммя при t/„i-5,25 В, Е/п2=-5,4б В, t/„„,-2,5 В, t/o„2- -2,5 В, Г= -10... +70° С: от источника положительного напряжения, не более.............................................................60 мА от источника отрицательного напряжения, не более.............................................................80 мА от источника опорного напряжения t/„„i, не более.............................................................60 мА от источника опорного напряжения Uoaz, не более.............................................................60 мА Выходное напряжение при t/„i=4,75 В, V„z = = -4,94 В, и,2,5 В, t/„„2--2,5 В, Г= = -10...+70° С: высокого уровня.......................-1,1... -0,6 В низкого уровня...........................-2... -1,5 В Входной ток при t/„i = 5,25 В, t/„2=-5,46 В, t/„,„=2,5 В, и,„г=г-2,5 В, Г--10...+70° С: К1107ПВЗА, КМ1107ПВЗА .... -10...500 мкА К1107ПВЗБ, КМ1107ПВЗБ..... -10...800 мкА Нелинейность при t/„i=4,75 В, t/n2=-4,94 В, £/„„1=2,5 В, t/„„2 = -2,5 В, Г=-10... +70° С .... .................................................. -1/4...+1/4 МЗР ......................................................... -0,4...+0,4% Дифференциальная нелинейность при t/„i=4,75 В, t/„2=-4,94 В, t/„„i = 2,5 В, t/„„2=-2,5 В, г-.-10.., +70" С...................-1/2... +1/2 МЗР .........................................................-0,8...+0,8% Абсолютная погрешность преобразования в конечных точках шка.гы при t/nr-4,75 В, t/n2 = --4,94 В, £/в„1 = 1. В. t/,„2=-2,5 В, Г= = -10...+70° С..................................... ±100 мВ Время преобразования при ViJS В, Уаг = -4,94 В. С/„„, = 2,5 В, С/„„2=-2,5 В. Г= = +25° С, ие более.......................................20 ис Предельные эксплуатационные данные Напряжение источника питания: положительного............................ 4,75 ...5,25 В отрицательного..................... -5,46...-4,94 В Входное напряжение.................................±2,6 В Напряжение контроля гистерезиса..........0...2 В Опорное напряжение t/„„i....................................................2,4 ...2,6 В t/„„2............................................. -2,6...-2,4 В Температура окружающей среды -10... +70° С Примечания: 1. Калибровка микросхем (компенсация абсолютных погрешностей в конечных точках шкалы) осуществляется регули-ров1?ой опорных напряжений t/o„i, t/„„2. Отклонение опорных напряжений вызывает Появление дополнительных погрешностей, эквивалентных абсолютным погрешностям в конечных точках шкалы, равным по величине отклонениям опорных напряжений. 2. Вывод 5 служит для управления гистерезисом компараторов аналого-цифровых преобразователей при подаче внешнего постоянного напряжения гистерезиса. Для большинства случаев микросхемы применяются без внешнего напряжения гистерезиса путем подключения конденсатора емкостыр 0,1 мкФ между выводом 5 и общей шиной. Подача регулируемого напряжения гистерезиса в пределах 0...2 В
-3 -г -1 1 2Щ„в Временные диаграммы работы преобразователей К1107ПВЗ, КМ1107ПВЗ позволяет управлять гиетереаисом компараторов и рекомендуется при использовании микросхем на высокой частоте для повышения стабильное™ работы АЦП. 3. Микросхемы содержат цифровой выход переполнения (вывод 15), позволяющий применять их параллельное- соединение для увеличения разрядности АЦП. При превышении аналоговым сигналом входного диапазона (t/„> >t/„ni) на цифровом выходе переполнения появляется напряжение высокого уровня, а на остальных цифровых выходах-напряжение низкого уровня. 4. Работой микросхем управляет тактовый сигнал. При низком уровне тактового сигнала происходит выборка аналогового напряжения, а при подаче положительного фронта тактового сигнала компараторы микросхемы стробируются через две-три наносекунды (апертурная задержка), и после времени преобразования 8...20 не на цифровых выходах появляется соответствующий «од. Нестабильность времени преобразования не превышает 3 не. При высоком уровне тактового сигнала происходит хранение записанной информации. В микросхеме отсутствует выходной регистр, и поэтому часть перио-" да тактирующего сигнала информация на цифровых выходах неопределенна. Длительность времени, в течение которого информация неопределенна," равна длительности режима выборки (тактовый сигнал-низкий уровень), сдвинутой ВыВврка Хранение ИвВ \"олреае-\1 \ \--- Зависимость входного тока микросхем К1107ПВЗ и КМ1107ПВЗ от входного напряжения на время преобразования. Для синхронизации записи информации с микросхемы может быть использован тактовый сигнал, задержанный на время преобразования. 5. При эксплуатации к выводам микросхемы Vni и и„2, Voni И 1/„л2, «Контроль гистсре-зиса» необходимо подключать конденсаторы емкостью 0,1 мкФ. Схемы включения Дополнительная литература Басни В. М., Кучинскас И. Д., Марциикявичюс А.-Й. К. Сверхбыстродействующие шестиразрядные АЦП К1107ПВЗА, Б Электронная про-мьшшенность.-1985.-№ 7 (145).-С. 32-34. Ct X Тактовый 0,1 ZL. сигнал -* Напряжение • контроля-* гистерезиса
Разряд переноса инфорнации P OS(CP) 04 03 Ql at (tip) Bl too -ШЗ- B2, ,100 Bs too -CZ3-~BTM -2 в Типовая схема включения микросхем К1107ПВЗ и КМ1107ПВЗ {1-буферный каскад) сигнал Типовая схема соединения двух преобразователей К1107ПВЗ (КМ1107ПВЗ) для построения семиразрядного преобразователя
Разряд переполнения 0 ... 102 103 104 105 106 107 108 ... 125 |