полупроводниковые приборы

Микроэлектроника-одно из ведущих, быстроразеиеающихся направлений современной электроники. Ее зарождение и высокие темпы развития были предопределены резким увеличением в 50-60-х годах функций, выполняемых радиоэлектронной аппаратурой, и повышением требований к ее надежности.

Первые попытки упорядочить вопросы терминологии в микроэлектронике как в отечественной, так и в международной практике были сделаны во второй половине 60-х годов. В настоящее время в нашей стране действует ГОСТ 19480-89 «Микросхемы интегральные. Термины и определения». В соответствии с этим ГОСТ, а также отраслевыми стандартами ниже приведены термины и их определения, широко применяемые в областях, связанных с микроэлектроникой.

Интегральная микросхема (ИМС)-микро-электрокное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов и (или) кристаллов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

Элемент интегральной микросхемы--часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлеменга, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Компонент интегральной микросхемы-часть интегральной микросхемы, реализующая функции какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Кристалл нитегральнон микросхемы-часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводннковой микросхемы, межзлемент-ные соединения и контактные площадки.

Подложка интегральной микросхемы-заго-

товка, предназначенная для нанесения на нее •элементов гибридных и пленочных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок.

Плата интегральной микросхемы-часть подложки (подложка) гибридной (пленочной) интегральной микросхемы, на поверхности которой нанесены пленочные элементы микросхемы, межэлементные и межкомпонентные соединения и контактные площадки.

Коитактнан площадка интегральной микросхемы-металлизированный участок на плате или на кристалле, служащий для присоединения выводов компонентов и интегральных микросхем, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов.

Корпус интегральной микросхемы-часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для защиты микросхемы от внещ-них воздействий и для соединения с внещними электрическими цепями посредством выводов.

Позиция вывода-одно из нескольких равноотстоящих друг от друга местоположений выводов на выходе из тела корпуса, расположенных по окружности и в ряду, которое может быть занято или не занято выводом. Каждая позиция вывода обозначается порядковым номером.

Шаг позиций выводов - расстояние между номинальным положением осей (плоскостей симметрии) позиций выводов.

Установочная плоскость-плоскость, на которую устанавливается интегральная микросхема.

Ключ-конструктивная особенность, позволяющая определить вывод под номером один.

Бескорпусная интегральная микросхема-не имеет собственного корпуса, широко применяется при создании микросборок и микроблоков (гостированного определения не имеет). Для соединения с внешними электрическими цепями бескорпусная ИМС имеет собственные выводы, а ее полная защита обеспечивается корпусом устройства, в которое эта ИМС установлена.

Вывод бескорпусной интегральной микросхемы-проводник, соединенный с контактной площадкой кристалла интегральной микросхемы и предназначенный для электрического

соединения и механического крепления бескорпусной интегральной микросхемы при ее соединении с внешними электрическими цепями.

Плотность упаковки интегральной микросхемы-отношение числа элементов и компонентов интефальной микросхемы к ее объему (объем выводов не учитывается).

Степень интеграции интегральной микросхемы-показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов (степень интеграции ИМС определяется по формуле K=\gN, где /Г-коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляется до ближайшего целого числа; -число элементов и компонентов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхему). В соответствии с этой формулой различают интегральные микросхемы:

первой степени интеграции до 10 элементов и компонентов включительно;

второй cjeneHH интеграции, от 11 до 100 элементов н компонентов;

третьей степени интеграции от 101 до 1000 элементов и компонентов;

четвертой степени интеграции от 1001 до 10000 элементов и компонентов;

пятой степени интеграции от 10 00 Г до 100000 элементов и компонентов.

Серия интегральных микросхем-совокупность типов интегральных микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеют единое технологическое исполнение и предназначены для совместного применения.

Большая интегральная микросхема (БИС)- интегральная микросхема, содержащая 500 и более элементов, изготовленных по биполярной технологии, или 1000 и более элементов, изготовленных по МДП-технологии.

Сверхскоростная интегральная микросхема- интегральная микросхема, имеющая время установления для цифровых сигналов менее 2,5нс/ЛЭ (ЛЭ-логический элемент) или нижнюю границу рабочего диапазона частот не менее 300 МГц.

1.2. Классификация и условные обозначения микросхем

По принятой системе классификации [2] все выпускаемые отечественные ИМС подразделя-к>тся на группы, подгруппы и виды.

Классификационным признаком существующих трех групп микросхем является их конструктивно-технологическое исполнение, в зависимости от которого различают [1]: ,

полупроводниковые ИМС-интегральные микросхемы, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме и на

поверхности исходного полупроводникового материала;

гибридные ИМС-интегральные микросхемы, содержащие кроме элементов компоненты и (или) кристаллы;

прочие ИМС (пленочные, вакуумные, керамические и т. п.).

Принадлежность конкретной микросхемы к соответствующей группе отражает первая цифра условных обозначений ИМС:

1, 5, 6, 7-полупроводниковые;

2, 4, 8-гибридные; 3-прочие.

Классификационным признаком деления ИМС на подгруппы и виды является характер выполняемых ими функций в радиоэлектронной аппаратуре (например, подгруппы: генераторы, усилители, коммутаторы и ключи, преобразователи; виды: коммутаторы тока, напряжения и т. п.); деление ИМС на подгруппы, их виды и условные обозначения приведены в табл. 1.1.

Таблица 1.1

Генераторы

Модуляторы

Формирователи

Усилители

Вид ИМС

Гармонических сигналов Прямоугольных сигналов (мультивибраторы, бло-кинг-генераторы и др.) Линейно изменяющихся

сигналов

Сигналов

формы

Шума

Прочие

специальной

Амплитудные

Частотные

Фазовые

Импульсные

Прочие

Импульсов прямоугольной формы (ждущие мультивибраторы, блокинг-гене-раторы и др.) Импульсов специальной формы

Адресных токов Разрядных токов Прочие

Высокой частоты Промежуточной частоты Низкой частоты

Буквенное обозначение подгруппы и вида

гг гл

МА МС МФ МИ МП

АА АР АП

УВ УР УН